MOSFET的跨导gm和输出电导gds L0 * 根据MOSFET的跨导 gm的定义为： MOSFET I-V特性求得 MOSFET的优值:

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MOSFET尺寸缩小对器件性能的影响 结论1：L   Ids  tox  Ids  L + tox  Ids   减小L和tox引起MOSFET的电流控制能力提高 结论2：W  Ids  P 减小W引起MOSFET的电流控制能力和输出功率减小 结论3：( L + tox+W)Ids=C  AMOS 同时减小L，tox和W， 可保持Ids不变，但导致 器件占用面积减小，电路集成度提高。 总结论：缩小MOSFET尺寸是VLSI发展的总趋势！ *

1．FET分为JFET和MOSFET两种，工作时只有一种载流子参与导电，因此称为单极性型晶体管。FET是一种压控电流型器件，改变其栅源电压就可以改变其漏极电流。 2．FET放大器的偏置电路与BJT放大器不同，主要有自偏压式和分压式两种。 3． FET放大电路也有三种组态：共源、共漏和共栅。 电路的动态分析需首先利用FET的交流模型建立电路的交流等效电路，然后再进行计算，求出电压放大倍数、输入电阻、输出电阻等量。

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