资料-自举电路.zip

四、体验与总结 通过两个周的实验，我对 MATLAB 和 DSP 有了更深刻和形象的理解。喜欢这种动手动脑 的实验课程，希望老师以后能尽早布置实验大作业，这样能完成得更完善。

对于三相逆变电路的驱动， 对于三相逆变电路的驱动， 对于三相逆变电路的驱动， 对于三相逆变电路的驱动， 对于三相逆变电路的驱动， 对于三相逆变电路的驱动， 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 通常需要四路相互隔离的 控制 电源 (三路用于 P侧驱动，一 侧驱动，一 侧驱动，一 侧驱动，一 路用于 N侧驱动 侧驱动 )。通过 自举电路 自举电路 实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一实现浮动控制电源可以将隔离的数量从四路 减少到一(N侧控制电源 侧控制电源 侧控制电源 )。 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 自举电路由一个二极管，容和限流阻组成。如图 1-1所示，其使用 所示，其使用 所示，其使用 自举电容作为 自举电容作为 自举电容作为 自举电容作为 驱动 P侧 IGBTIGBTIGBTIGBT和 MOSFETMOSFETMOSFET MOSFET 的控制电源。 控制电源。 控制电源。 自举电容提供 自举电容提供 自举电容提供 P侧器件开通 侧器件开通 时栅极充电 栅极充电 栅极充电 所需电荷 所需电荷 ，并提供 ，并提供 ，并提供 P侧驱动 侧驱动 IC 中逻辑电 逻辑电 路消耗的 消耗的 电流。如图 电流。如图 电流。如图 1-2所示 ，由于 ，由于 采用 自举 电容代替 电容代替 隔离 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 电源，它的供能力是受到限制。 所以这个利用自举 所以这个利用自举 所以这个利用自举 所以这个利用自举 电路实现的 电路实现的 浮动电源 浮动电源 只适用于像 适用于像 适用于像 DIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPMDIPIPM这样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 样对电源流要求较小的器件 。 逆变过 程中当输出端 程中当输出端 程中当输出端 (U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W)(U/V/W) 电位会 电位会 拉低到 拉低到 GNDGNDGND附近 时，N侧 15V15V 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 的控制电源会通过限流阻和自举二极管 对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量对自举电容充。但由于开关序列， 量限流电阻等制 限流电阻等制 限流电阻等制 使自举电容 自举电容 自举电容 可能 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全充电。 不能完全

在电路设计过程中，常常可以利用自举电容构成的自举电路来改善电路的一些性能指标，比如增大电路的输入阻抗、提高电路的增益以及扩大电路的动态范围等等，在这里，我举一个自举电路的例子来详细说明它是如何增大电路的输入阻抗的。

本文介绍了IPM自举电路的基本拓扑结构和原理，并重点研究了自举电容初始充电问题，通过在控制程序中执行简单的初始充电语句，很好地解决了上述关键问题，并在项目中取得良好的充电效果。

文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能 自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功 率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程 师们都能从中获益。在大多数开关应用中，开关功耗主 要取决于开关速度。因此，对于绝大部分本文阐述的大 功率开关应用，开关特性是非常重要的。自举式电源是 一种使用最为广泛的，给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的 高端栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源技术具 有简单，且低成本的优点。但是，它也有缺点，一是占 空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制，二是当开 关器件的源极接负电压时，会发生严重的问题。本文分 析了最流行的自举电路解决方案；包括寄生参数，自举 电阻和电容对浮动电源充电的影响。

仙童公司经典设计参考：运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能自举式栅极驱动电路的系统方法，适用于高频率，大功率及高效率的开关应用场合。

MOS驱动那个模块的自举电路

一、电容自举驱动NMOS电路 VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。 图1电容自举驱动NMOS电路 （1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。 （2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。 图2 电容自举驱动NMOS电路仿真 二、MOSFET驱动电路 图3 MOSFET驱动电路 （1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止； （2） 当V1=V2=0

在电路设计过程中，常常可以利用自举电容构成的自举电路来改善电路的一些性能指标，比如增大电路的输入阻抗、提高电路的增益以及扩大电路的动态范围等等，在这里，我举一个自举电路的例子来详细说明它是如何增大电路的输入阻抗的。