nmos高端驱动自举电路

一、电容自举驱动NMOS电路
VCC经过二极管D2、电容C2、电阻R1到地，所以加载在电容C2两端的电压约为14V。

图1电容自举驱动NMOS电路
（1） 当V1输入高电平时，Q1、Q4导通，B通道输出高电平，Q2截止，C通道输出高电平，Q3导通，D通道输出高电平48V，由于C2两端电压14V，所以Q3的导通使电容抬升了VDD的电压，即电容C2的正极电压位62V左右，经过三极管Q4、二极管D1到达Q3的栅极，电容C2起到了自举抬升电压的作用，使Q3持续导通。
（2） 当V1输入低电平时，Q1、Q4截止，B通道输出低电平，Q2导通，Q2的导通为Q3的栅极提供放电电路（栅极电压通过Q2、电阻R1放电），使得电容C2的负极电压接近0V，即D通道输出低电平。

图2 电容自举驱动NMOS电路仿真
二、MOSFET驱动电路

图3 MOSFET驱动电路
（1） 当V1=V2=5V时，Q1、Q4导通，Q2截止，VCC经过D2、Q4、D1、R4到达Q3的栅极，Q3导通；Q6、Q7截止，Q8导通，Q8的导通为Q5的栅极提供放电回路，Q5截止；
（2） 当V1=V2=0