上传者: sinat_15677011
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上传时间: 2021-09-03 14:02:46
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文件类型: PDF
文讲述了一种运用功率型MOSFET和IGBT设计高性能
自举式栅极驱动电路的系统方法,适用于高频率,大功
率及高效率的开关应用场合。不同经验的电力电子工程
师们都能从中获益。在大多数开关应用中,开关功耗主
要取决于开关速度。因此,对于绝大部分本文阐述的大
功率开关应用,开关特性是非常重要的。自举式电源是
一种使用最为广泛的,给高压栅极驱动集成电路 (IC) 的
高端栅极驱动电路供电的方法。这种自举式电源技术具
有简单,且低成本的优点。但是,它也有缺点,一是占
空比受到自举电容刷新电荷所需时间的限制,二是当开
关器件的源极接负电压时,会发生严重的问题。本文分
析了最流行的自举电路解决方案;包括寄生参数,自举
电阻和电容对浮动电源充电的影响。