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功率器件
心得分享】+GaN与SiC新型
功率器件
1 GaN 功率管的发展微波
功率器件
近年来已经从硅双极型晶体管、场效应管以及在移动通信领域被广泛应用的LDMOS 管向以碳化硅 ( SiC )、氮镓 ( GaN ) 为代表的宽禁带功率管过渡。SiC、GaN 材料,由于具有宽带隙、高饱和漂移速度、高临界击穿电场等突出优点,与刚石等半导体材料一起,被誉为是继第一代 Ge、Si 半导体材料、第二代 GaAs、InP 化合物半导体材料之后的第三代半导体材料。 在光电子、高温大
功率器件
和高频微波器件应用方面有着广阔的前景。SiC
功率器件
在 C 波段以上受频率的限制,也使其使用受到一定的限制;GaN 功率管因其大功率容量等特点,成为发较快的宽禁带器件。GaN 功率管因其高击穿电压、高线性性能、高效率等优势,已经在无线通信基站、广播电视、电台、干扰机、大功率雷达、电子对抗、卫星通信等领域有着广泛的应用和良好的使用前景。GaN 大功率的输出都是采用增加管芯总栅宽的方法来提高器件的功率输出,这样使得管芯输入、输出阻抗变得很低,引入线及管壳寄生参数对性能的影响很大,一致直接采用管壳外的匹配方法无法得到大的功率输出甚至无法工作。解决方法就是在管壳内引
2024-01-17 16:32:07
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MOSFET
1
基础电子中的
功率器件
的散热计算及散热器选择
目前的电子产品主要采用贴片式封装器件,但大
功率器件
及一些功率模块仍然有不少用穿孔式封 装,这主要是可方便地安装在散热器上,便于散热。进行大
功率器件
及功率模块的散热计算,其目的是在确定的散热条件下选择合适的散热器,以保证器件或模块安全、可靠地工作。 散热计算 任何器件在工作时都有一定的损耗,大部分的损耗变成热量。小
功率器件
损耗小,无需散热装置。而大
功率器件
损耗大,若不采取散热措施,则管芯的温度可达到或超过允许的结温,器件将受到损坏。因此必须加散热装置,最常用的就是将
功率器件
安装在散热器上,利用散热器将热量散到周围空间,必要时再加上散热风扇,以一定的风速加强冷却散热。在某些大型设备的功
2023-04-07 20:30:10
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基础电子中的功率器件的散热计算及散热器选择
基础电子
1
电子假负载的制作设计实例
本文制作的电子假负载能替代传统的负载电阻箱、滑线变阻器等,尤其能设置恒定电流或恒定电压应用于传统的滑线变阻器不能解决的领域里。用于发电机、AC/DC、DC/DC变换器、不间断电源(UPS)、干电池、蓄电池、变压器、充电器等输出特性进行测试。最大假负载功率高达600W,假负载电阻可调节在30mΩ~14.352kΩ。
2023-04-05 19:31:28
200KB
电子假负载
电子制作
电路设计
功率器件
1
功率器件
更加智能,高能效功率电子技术新进展
随着时间的推移,功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小,功率密度越来越高。在电压高于1kV的大功率晶体管方面,双极结构已成为首选;低于1kV电压,特别是频率高于100kHz时,更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。
2022-12-26 21:51:19
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MOS|IGBT|元器件
1
IGBT
功率器件
封装工艺流程
IGBT
功率器件
封装工艺流程
2022-08-23 18:07:53
6.42MB
IGBT功率器件封装工艺流程
1
【洞见研报】至信微(第三代半导体
功率器件
研发商,深圳市至信微电子有限公司)创投信息
深圳市至信微电子有限公司创投信息.pdf
2022-06-02 20:04:11
1.95MB
1
基于ON主
功率器件
& ST MCU 组成之100W智能三合一LED调光电源方案-综合文档
基于ON主
功率器件
& ST MCU 组成之100W智能三合一(PWM-电阻-1-10V)-LED调光电源方案
2022-05-11 23:21:18
1005KB
基础知识
1
功率器件
热设计及散热计算.pdf
功率器件
热设计及散热计算pdf,摘要:本文介绍了
功率器件
的热性能参数,并根据实际工作经验,阐述了
功率器件
的热设计方法和散热器的合理选择。
2022-05-09 17:42:17
219KB
开关电源
1
宽禁带半导体SiC
功率器件
有什么样的发展现状和展望说明
碳化硅(SiC)是第三代半导体材料的典型代表,也是目前晶体生长技术和器件制造水平最成熟,应用最广泛的宽禁带半导体材料之一,是高温,高频,抗辐照,大功率应用场合下极为理想的半导体材料。文章结合美国国防先进研究计划局DARPA的高功率电子器件应用宽禁带技术HPE项目的发展,介绍了SiC
功率器件
的最新进展及其面临的挑战和发展前景。同时对我国宽禁带半导体SiC器件的研究现状及未来的发展方向做了概述与展望.
2022-03-09 17:13:23
5.54MB
碳化硅功率器件
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功率半导体器件,
功率器件
集成工艺
功率半导体技术是半导体领域的重要研究内容之一,主要应用于现代电子系统的功率处理单元,是当今消费类电子、工业控制和国防装备等领域中的关键技术之一.本文概要介绍了功率半导体器件与集成技术的特点和应用范围,阐述了功率半导体器件与集成技术的发展现状和趋势,给出了未来技术发展路线图,最后梳理了未来技术发展的若干问题.
2022-01-26 11:01:32
1.25MB
功率半导体
工艺整合
MOSFET
IGBT
1
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