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功率器件更加智能,高能效功率电子技术新进展
功率器件更加智能,高能效功率电子技术新进展
上传者:
38558186
|
上传时间: 2022-12-26 21:51:19
|
文件大小: 146KB
|
文件类型: PDF
MOS|IGBT|元器件
随着时间的推移,功率晶体管技术得到了持续的改善。器件的体积不断缩小,功率密度越来越高。在电压高于1kV的大功率晶体管方面,双极结构已成为首选;低于1kV电压,特别是频率高于100kHz时,更多采用的是MOSFET。高于此电压的大电流应用则选择IGBT。
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