我们研究了量子点-脂质体复合物（QLC），它是巨大的单层囊泡，其脂质双层中掺入了量子点（QD）。 旋涂方法与电铸技术相结合产生具有高度均一的单层结构的囊泡。 我们观察到QLC形成过程的QD尺寸依赖性：QLC形成蓝色，绿色和黄色发射的QD（中心半径〜1.05 nm，1.25 nm和1.65 nm），而没有发射红色的QD（中心半径〜2.5 nm）。 为了解释这种大小依赖性，我们建立了一个简单的模型，该模型根据分子堆积参数和脂质构象变化来解释QD大小对QLC形成的影响。 该模型预测，对于Egg-PC脂质，低于某个临界尺寸（半径≈1.8 nm）的QD可以稳定地存在于厚度为4-5 nm的脂质双层中。 这与我们之前的实验结果一致。 对于红色发射的QD，仅在荧光显微镜上观察到QD聚集，而不是QLC。 我们预期填充参数（P）的减小将导致特定QD半径的变化。 我们通过混合DOPG对特定QD尺寸的变化进行的实验观察可以证实这一预测。

提出了一种调节InAs量子点长波长发光的方法。采用分子束外延生长GaAs/InAs短周期超晶格作覆盖层,可以拓展量子点发光波长至1. 3umm～1. 5um.研究了不同超晶格周期作覆盖层对InAs量子点的晶体结构和光学特性的影响:发现随测试温度的升高,量子点的PL发光强度增强的一种反常现象。认为这是不同量子间载流子输运的结果。

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为了深入研究量子点半导体光放大器(QD-SOA)的特性, 建立了量子点半导体光放大器子带导带的三能级系统模型。把系统载流子的速率方程与其他文献采用的速率方程进行了对比优化。通过数值计算得到了瞬态解, 并得到载流子在放大器各能级态的浓度分布, 验证了量子点中能级分立特性。利用电子和空穴各自的占有几率在基态成一定的线性关系, 在稳态下对速率方程求解, 得出了量子点半导体光放大器相关的增益特性, 以及增益特性与基态电子的占有几率之间的关系。结果表明量子点半导体光放大器具有很高的饱和增益和微分增益, 较低的阈值电流等特性。说明量子点半导体光放大器具有比其他体材料和量子阱光放大器更加优异的特性。为光放大器的设计提供了有力的理论指导。

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量子点 (QD) 半导体光放大器具有显着的特性，可用于从全光信号处理到光通信系统的各种应用。 在这些特性中，超快增益恢复、大饱和功率、饱和条件下无模式效应放大、每秒太比特速度的操作能力、高比特率多通道信号的放大、小尺寸以及与其他光电器件的集成，如激光二极管和光调制器，是这些器件最重要的特性。

为提高全光波长转换器的波长转换效率，在量子点半导体光放大器(QD-SOA)波长转换特性研究的基础上，分别对基于交叉增益调制(XGM)效应和交叉相位调制(XPM)效应的全光波长转换器的转换效率进行了仿真分析。利用三能级QD-SOA模型并基于XGM型全光波长转换器，计算了输入脉冲宽度、有源区长度、损耗系数、最大增益模式和电子跃迁时间的变化对转换效率的影响。结果表明，减小输入脉冲宽度、损耗系数、电子跃迁时间和增加有源区长度、最大增益模式均可以提高全光波长转换器的转换效率。该研究对全光逻辑异或门的设计及QD-SOA的应用有一定的指导意义。