退火温度对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响，王一义，孙颉，采用真空蒸镀法在n型Hg3In2Te6表面分别制备了Au和In电极，探讨了氮气气氛下快速退火对Au/Hg3In2Te6肖特基势垒高度的影响规律。通过I-V和C-V�

采用水热法在180℃下合成纳米级的尖晶石相的Ni0.6Zn0.4Fe2O4铁氧体材料，在空气中退火温度分别为600、800、1000℃。使用X射线衍射（XRD）、红外光谱（FTIR）、扫描电镜（sEM）和振动样品磁强计（VSM）分别表征NiZn铁氧体纳米粉体的相组成、微结构以及磁性能。XRD衍射谱和FTIR谱表明：未退火和退火的纳米晶NiZn铁氧体皆为单一尖晶石相；退火温度对晶格常数基本无影响，主要提高了致密度以及使晶粒尺寸得到长大；样品的饱和磁化强度随着退火温度的提高逐渐增大到1000℃时的58.75

在此贡献中，我们报告了不同沸点和退火温度的溶剂对TIPS-并五苯晶体管性能的影响。 几种溶剂已用于TIPS-并五苯薄膜加工中：甲苯，氯苯和四氢呋喃。 研究溶剂和温度的影响； 测量了TIPS-并五苯场效应晶体管的电学参数。 迁移率的最高值为7.1×10-3 cm2·V-1·s-1、4.5×10-3 cm2·V-1·s-1和1.43×10-3 cm2·V-1·s-1对于分别使用氯苯，甲苯和四氢呋喃的TIPS-并五苯场效应晶体管，分别在120°C，150°C和120°C退火。 我们已将这些电性能与AFM图像相关联，以指出形态特性的作用。 发现晶粒大小和粗糙度对电参数有很大影响。

具有低锡含量（0.5％）的Ge1-xSnx合金通过分子束外延在220°C至500°C的不同温度下直接生长在Si（1 0 0）衬底上。 测量了原位RHEED图案，AFM图像和HR-XRD曲线，以研究Ge0.995Sn0.005合金的表面形态和应变。 发现在合金沉积期间发生的表面粗糙随着生长温度TG的增加而增强。 在合金的低温异质外延生长过程中引入了压缩残余应变。 随着TG的增加，它逐渐释放，而拉伸热应变增加。 结果，如果TG足够高（> 420℃），则获得了拉伸面内应变。 还研究了退火温度TA的影响。 结果表明，在TA≤600°C时，合金的表面形貌和污点仅略有变化。 如果TA进一步增加，则表面粗糙度显着增加并且残留的异质外延应变基本上被释放。

①在Tm值允许范围内，选择较高的复性温度可大大减少引物和模板间的非特异性结合，提高PCR反应的特异性。复性时间一般为30～60sec，足以使引物与模板之间完全结合。