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2021-09-14 09:02:16 206KB
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利用频域有限差分法,分析了两种典型晶硅电池结构的Ag背反镜的吸收损耗。研究表明:平板型晶硅电池Ag背反镜的损耗主要是由本征吸收和导模共振吸收引起,而表面等离子体共振吸收使TM模的吸收峰峰值大于TE模的吸收峰峰值;织构型的晶硅电池内部光场分布复杂,可在光垂直入射情况下,使TE模和TM模均在有源层中出现较强的导模共振效应,且TM模还可在Ag背反镜中激励起等离子体共振效应,从而使织构型晶硅电池Ag背反镜的吸收谱表现为多峰值特性,且其吸收峰峰值大于平板型晶硅电池的吸收峰峰值。
2021-02-07 16:04:03 6.16MB 光学器件 晶硅电池 背反镜 光吸收
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