被动驱动的 Micro LED 显示像素单元需要外部通过对 N/P 电极施加行列扫描 信号来实现图像的显示。此结构的单个 LED 是互相隔离的，因此需要使用 ICP  刻蚀到衬底，由于刻蚀深度达到 5～6μm，后续进行金属连线时，金属线容易 在深隔离槽处出现断裂。以主动方式驱动的 Micro LED 发光阵列采用单片集成或晶粒转移两种方式进 行组装的。 单片集成: LED 外延片被制成 LED 阵列(N×N 个 LED)，然后将阵列整体倒装 到驱动基板上。这种结构一次可以转移多个 LED 发光单元，但是它无法解决 彩色化问题，而从同一个基底有选择的生长出三种波长的发光材料目前是不 现实的。 但

打造微米级像素间距显示microLED技术是指在一个芯片上集成的高密度微小尺寸的LED 阵列，每一个像素可定址、单独由TFT驱动点亮，像素点距离在微米级。 封装灯珠除了芯片外，其他封装材料包括支架、硅胶、固晶胶等，占用了巨大的空间。故目前最小的小间距LED灯珠尺寸在0505，即0.5mm x 0.5mm。而micro LED单个显示单元直接是微米等级的LED阵列，无需对单个显示单元进行封装，而是对整个模组进行封装，故其单个显示单元大小已经可以做到微米级，目前已经有10μm X 10μm解决方案。

Micro-LED是电流驱动型发光器件，其驱动方式一般只有两种模式：无源选址驱动（PM：Passive Matrix，又称无源寻址、被动寻址、无源驱动等等）与有源选址驱动（AM：Active Matrix，又称有源寻址、主动寻址、有源驱动等），此文还延伸有源驱动的另一种“半有源”驱动。这几种模式具有不同的驱动原理与应用特色，下面将通过电路图来具体介绍其原理。 　　什么是PM驱动模式？ 　　无源选址驱动模式把阵列中每一列的LED像素的阳极（P-electrode）连接到列扫描线（Data Current Source），同时把每一行的LED像素的阴极（N-electrod

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