东芝(Toshiba)是全球知名的电子产品及半导体制造商,在存储器领域拥有领先的技术。本文档提供的数据资料详述了东芝推出的一款3D NAND闪存产品——TH58TFxxW23BAxx系列,这些产品支持Toggle DDR2.0接口标准。TH58TFxxW23BAxx系列是一系列采用东芝自家NAND闪存技术的高性能、高可靠性的闪存产品。产品编号中的“xx”代表不同的存储容量及温度范围。 TH58TFxxW23BAxx系列具有以下特性: - 工作温度范围广泛:该系列NAND闪存支持在-40℃到85℃之间的温度范围内正常工作,这意味着它们能够在极端温度环境中可靠运行。 - 高密度存储:凭借东芝先进的3D堆叠技术,TH58TFxxW23BAxx系列提供了多种不同密度的存储选项,以满足不同应用领域的需求。 - Toggle DDR接口:Toggle DDR 2.0是东芝支持的高速串行接口技术,其为数据传输提供了更高的效率和更快的读写速度。 - 高可靠性:东芝的NAND闪存产品以其卓越的质量和可靠性而闻名,适合长时间连续工作。 - 环境适应性:该系列适用于需要在极端温度条件下长时间稳定运行的设备。 在物理接口方面,文档中提供了132-BGA封装的介绍以及不同型号的顶视图引脚配置,这为设计者提供了详细的物理连接信息。引脚描述部分详细列出了每一个引脚的功能和信号名称,以便于用户根据各自的应用需求进行电路设计。 此外,文档中还包含了产品框图,这为用户理解NAND闪存的内部结构和各个功能模块之间的关系提供了视觉辅助。文档最后还介绍了相关的定义和缩写,帮助用户更准确地理解技术数据。 数据手册中还可能包含其他相关信息,如电气特性、信号描述、性能参数、应用示例、编程和擦除算法以及技术规格等。这些信息对开发人员和设计工程师来说都是至关重要的,因为它们决定了产品在具体应用中的表现。 东芝NAND闪存产品广泛应用于固态硬盘(SSD)、嵌入式设备、消费电子产品和其他需要高速、高密度存储的场合。TH58TFxxW23BAxx系列作为东芝推出的尖端存储解决方案,其高效的性能和可靠性在许多行业已经得到了验证和广泛的应用。 由于文档中提到数据资料来源于OCR扫描,可能会有文字识别错误或者遗漏的情况。因此,在参考文档进行设计与应用时,应谨慎对待可能出现的文字错误,并与官方提供的准确信息相对照。
2025-05-21 15:33:38 1.93MB NandFlash
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### TI DM36x系列DSP NAND Flash启动过程详解 #### 一、NAND Flash启动原理 ##### 1.1 DM365支持的NAND启动特性 TI的TMS320DM365(以下简称DM365)多媒体处理芯片支持多种启动方式,包括NAND Flash启动。在NAND Flash启动过程中,DM365具有一系列独特的启动特性: 1. **不支持一次性全部固件下载启动**:DM365不支持一次性将所有固件数据从NAND Flash读入内存并启动,而是采用分阶段的方式。首先从NAND Flash读取第二级启动代码(User BootLoader, UBL)至ARM内存(ARM Internal Memory, AIM),然后执行UBL。 2. **支持最大4KB页大小的NAND**:支持的NAND Flash页大小可达4KB,这对于大多数常见的NAND Flash设备来说是足够的。 3. **支持特殊数字标志的错误检测**:在加载UBL时会进行错误检测,尝试最多24次在不同的block中寻找特殊数字标志,以确保数据的正确性。 4. **支持30KB大小的UBL**:DM365有32KB的内存用于存放启动代码,其中2KB用于RBL(ROM Boot Loader)的堆栈,剩余的空间可用来存储UBL。 5. **用户可选的DMA与I-cache支持**:用户可以根据需要在RBL执行期间启用或禁用DMA和I-cache等功能。 6. **支持4位硬件ECC**:支持每512字节需要ECC位数小于或等于4位的NAND Flash,这有助于提高数据的可靠性。 7. **支持特定的NAND Flash类型**:支持那些需要片选信号在Tr读时间保持低电平的NAND Flash。 ##### 1.2 NAND Flash启动流程 NAND Flash启动流程是指从芯片上电到Linux操作系统启动的整个过程,主要包括以下几个步骤: 1. **ROM Boot Loader (RBL) 阶段**:当DM365芯片上电或复位时,会根据BTSEL引脚的状态确定启动方式。如果是NAND启动,则从ROM中的RBL开始执行。RBL会初始化必要的硬件资源,如设置堆栈,关闭中断,并读取NAND Flash的ID信息以进行适当的配置。 2. **User Boot Loader (UBL) 阶段**:RBL从NAND Flash读取UBL并将其复制到AIM中运行。UBL负责进一步初始化硬件资源,如DDR内存,并为下一阶段准备环境。 3. **U-Boot阶段**:UBL从NAND Flash读取U-Boot并将其复制到DDR内存中运行。U-Boot是完整的启动加载程序,它负责最终从NAND Flash读取Linux内核并将其复制到DDR内存中。 4. **Linux内核启动阶段**:U-Boot启动Linux内核,内核加载并运行,此时系统完成启动。 #### 二、NAND Flash启动的软件配合实现 ##### 2.1 UBL描述符的实现 UBL描述符是UBL读取和执行的起点。在NAND Flash中,UBL描述符通常位于特定的位置,包含UBL的起始地址和长度等信息。RBL通过读取这些描述符来确定UBL的具体位置并加载到AIM中。 ##### 2.2 U-Boot启动实现 U-Boot是一种开源的启动加载程序,负责从NAND Flash读取Linux内核并将其加载到内存中。U-Boot的实现依赖于UBL提供的环境,例如已经初始化的DDR内存。 ##### 2.3 U-Boot更新UBL和U-Boot的原理 U-Boot可以被用来更新UBL和自身的代码。这一过程通常涉及到从NAND Flash读取新的代码版本,验证其完整性,并将其替换现有的UBL或U-Boot代码。 ##### 2.4 NAND Flash没有坏块的情况 在理想情况下,即NAND Flash没有坏块的情况下,启动流程会非常顺利。RBL能够成功地从NAND Flash读取UBL,UBL也能正确地读取U-Boot,进而完成Linux内核的加载。 #### 三、结束语 DM365的NAND Flash启动过程是一个复杂的多阶段过程,涉及ROM Boot Loader (RBL)、User Boot Loader (UBL) 和U-Boot等多个组件之间的协调工作。通过对这些组件的理解和优化,可以有效地提高启动速度和系统的稳定性。希望本文能帮助读者更好地理解DM365的NAND Flash启动过程及其背后的技术细节。
2025-05-20 15:59:24 439KB DSP NANDflash 启动过程分析
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littlefs+nandflash配置方法
2025-05-12 13:10:25 39KB littlefs
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nandFlash控制源代码
2023-03-16 11:08:04 2KB nandFlash
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美光(Micron)nandflash的datasheet,32G,64G,128G MLC大容量的nandflash
2023-02-22 11:28:58 2.69MB 美光 Micron nandflash 32G
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GD5F4GQ4xC芯片STM32HAL库驱动程序:使用STM32HAL库完成了SPI的初始化,以及GD5F4GQxC FLASH芯片的读取,擦除,写入,复位,初始化等程序。
2022-12-31 23:14:21 4KB STM32 NANDFLASH GD5F4G HAL
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该文档为多通道NAND+Flash控制器的设计讲解文档,是一份很不错的参考资料,具有较高参考价值,感兴趣的可以下载看看………………
2022-12-21 21:14:11 7.36MB NANDFlash控制器
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This specification defines a standardized NAND Flash device interface that provides the means for a system to be designed that supports a range of NAND Flash devices without direct design pre-association. The solution also provides the means for a system to seamlessly make use of new NAND devices that may not have existed at the time that the system was designed.
2022-12-13 21:02:18 8.15MB SSD NANDFLASH接口
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eMMC-5.1协议,中文版本 人工翻译,此文档是本人在接触存储行业的基础,经过多次修订,适合小白入门学些,文中也存在多种专业术语,有不懂的请私信,随时解答,谢谢。
2022-11-11 13:01:43 13.52MB NANDFLASH 存储 EMMC中文版本 EMMC5.1
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用于读写dsp.out程序到nandflash的部分代码,
2022-09-14 22:00:50 4KB dsp_nandflash out