计算机组成原理静态随机存储器实验 计算机组成原理静态随机存储器实验是计算机组成原理教学实验的重要组成部分，本实验旨在让学生掌握静态随机存储器（SRAM）的工作特性和数据的读写方法。 实验设备： * TDN-CM++计算机组成原理教学实验系统一套 * 导线若干 实验原理： 实验所用的半导体静态存储器电路原理如图 1 所示，实验中的静态存储器由一片 6116（2K×8）构成，其数据线接至数据总线，地址线由地址锁存器（74LS273）给出。地址灯 ADO~AD7 与地址线相连，显示地址线内容。数据开关经三态门（74LS245）连至数据总线，分时给出地址和数据。 6116 有三个控制线：CE（片选线）、OE（读线）、WE（写线）。当片选有效（CE=0）时，OE=0 时进行读操作，WE=0 时进行写操作。本实验中将 OE 常接地，因此 6116 的引脚信号 WE=1 时进行读操作，WE=0 时进行写操作。在此情况下，要对存储器进行读操作，必须设置控制端 CE=0、WE=0，同时有 T3 脉冲到来，要对存储器进行写操作，必须设置控制端 CE=0、WE=1，同时有 T3 脉冲到来，其读写时间与 T3 脉冲宽度一致。 实验内容： 1. 向存储器中指定的地址单元输入数据，地址先输入 AR 寄存器，在地址灯上显示；再将数据送入总线后，存到指定的存储单元，数据在数据显示灯和数码显示管显示。 2. 从存储器中指定的地址单元读出数据，地址先输入 AR 寄存器，在地址灯显示；读出的数据送入总线，通过数据显示灯和数码显示管显示。 实验步骤： （1）将时序电路模块中的Φ和 H23 排针相连。将时序电路模块中的二进制开关“STOP”设置为“RUN”状态、“STEP”设置为"STEP"状态。 （2）按图 2 连接实验线路，仔细查线无误后接通电源。 （3）向存储器指定的地址送入数据，如：向 00 单元中输入 11，步骤如下： ① 向地址寄存器 AR 中输入地址 00 的流程如下： a. 设置：SW-B=1； b. 从输入开关输入 00000000； c. 打开输入三态门：SW-B=0； d. 将地址打入地址锁存器中：LDAR=1，按 START 发 T3脉冲。 ② 输入要存放的数据 11 的流程如下： a. 设置：SW-B=1； b. 从输入开关输入 00010001； c. 打开输入三态门：SW-B=0； d. 关闭地址寄存器：LDAR=0； e. 将数据写入存储单元：CE=0，WE=1，按 START 发 T3脉冲； f. 输入数据在数码管上显示：LED-B=0，发 W/R 脉冲。 ③ 按照①②的步骤继续向下面的几个地址中输入下述数据： 地址 数据 0112 0203 1304 0415 （4）从存储器指定的地址中读出数据，如从 00 中读出的流程如下： 1. 操作步骤是，设置：a. SW-B=1； b. 禁止存储器读写 CE=1； c. 从输入开关输入 00000000； d. 打开输入三态门：SW-B=0； e. 将地址打入地址锁存器中：LDAR=1，按 START 发 T3脉冲。 静态随机存储器（SRAM）是计算机组成原理教学实验的重要组成部分，本实验旨在让学生掌握静态随机存储器的工作特性和数据的读写方法。通过本实验，学生可以了解静态随机存储器的工作原理和读写过程，从而更好地掌握计算机组成原理的知识。

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课程名称 计算机组成原理实验实验课时3实验项目静态随机存储实验实验时间2011.10.13实验目的掌握静态随机存储器RAM工作特性及数据的读写方法。实验环境PC机一台，TD-CM3+或TD-CMX实验系统一套。实验内容（算法、程序、步骤和方法）实验原理实验所用的静态存储器由一片6116（2K×8bit）构成（位于MEM单元），如图2-1-1所示。6116有三个控制线：CS（片选线）、OE（读线）、WE（写线），其功能如表2-1-1所示，当片选有效（CS=0）时，OE=0时进行读操作，WE

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ASCONTEXTforthisbook,computermemoryhierarchyrangesfromcache(fastestandmostexpensive)tomainmemory,tomassstorage(slowestandleastexpensive).Cachememory,immediatelyaccessiblebythecentralprocessingunit,isusuallystaticrandom-accessmemory(SRAM).Mainmemoryisusuallydynamicrandom-accessmemory(DRAM);likeSRAM,itrequirespowertomaintainitsmemorystate,butadditionallymustbeelectricallyrefreshed,typicallyevery64ms(1).Massstorageisexemplifiedbynonvolatileflashmemory(oftheNANDandNORvarieties)andmagnetichard-diskdrives.