本文首先从器件有源区耗尽过程分析表明AlGaN/GaN HEMTs器件具有与传统Si功率器件不同的耗尽过程,针对AlGaN/GaN HEMTs器件特殊的耐压机理,提出了一种降低表面电场,提高击穿电压的新型RESURF AlGaN/GaN HEMTs结构。新结构通过在极化的AlGaN层中引入分区负电荷,辅助耗尽二维电子气,有效降低了引起器件击穿的栅极边缘高电场,并首次在漏极附近引入正电荷使漏端高电场峰降低。利用仿真软件ISE分析验证了AlGaN/GaN HEMTs器件具有的“虚栅”效应,通过电场和击穿特性分析获得,新结构使器件击穿电压从传统结构的257V提高到550 V。
2023-03-14 16:49:23 1.52MB AlGaN/GaN HEMTs 击穿电压 RESURF
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Q为何产品要进行电气安规测试?   A这是许多产品制造商想问的一个问题,当然普遍的回答是“因为安规标准中有规定。”若您能深入了解电气安规的背景,便会发现它背后所隐含的责任与意义。电气安规测试虽然在生产线占了一点时间,但它却能让您降低产品因电气危害而回收的风险,次就做对,才是降低成本并维护商誉的正确方法。   Q何谓电气伤害(Electrical Shock)?   A造成电气伤害的因素有很多种,其中主要的是电流经过人体所造成的电气伤害。此类电气伤害对人类具有直接的影响性,伤害的严重性依电能的大小、湿度、接触面积等有所不同。想像你在浴缸里泡澡时,突然运作中的吹风机掉落在浴缸里,这样的情况,
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