BM苏黎世研究中心的科学家们日前表示，已经发现能够可靠地在相变存储器(PCM)单元中储存多个位元的方法。该小组采用90nm工艺技术，在200k单元阵列中实现了每存储单元为四层(2位元)，并表示已开发出一种编码方法，能克服材料随时间松弛的特性。该mushroom type存储器单元带有掺杂的Ge2Sb2Te5以作为相变材料。
2021-12-27 16:25:51
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目前随着人工智能领域的兴起以及人们对数据存储和计算的强烈需求，迫切需要存储器的改进和类似于人脑的高效存储运算效率。所以，相变存储器及其用于神经形态计算的研究是极具价值的。相变存储材料(PCMs)受到激发时所产生的电阻值变化可以用来建立尖峰神经网络从而实现模拟神经形态计算系统。本文介绍了相变存储器物理机制，其中包括相变材料的相变原理及主要性能特征，重点叙述了相变存储器在优化存储与计算方向的研究进展和应用，进而为该领域未来的发展方向提供参考。
2021-11-06 16:44:20
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高校 相变存储器
2021-05-26 14:00:38
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