"数字电子技术综合实验报告" 本实验报告涵盖了数字电子技术中两个重要的实验项目：八位抢答电路和触摸式密码电子锁电路。下面将对这两个实验项目的实验目的、实验电路、工作原理、实验步骤、实验注意事项和实验报告进行详细的分析和总结。 八位抢答电路 实验目的： 1. 熟悉 CD4532 8 位优先编码器控制端引脚功能特殊应用。 2. 熟悉利用 CD4532 构成八位抢答电路的方法。 3. 掌握用或非门组成基本 RS 触发应用技巧。 4. 熟悉 4511 七段码译码器控制端引脚的使用方法。 实验电路与工作原理： 电路如图 26-1 所示，由实验二有关 CD4532 8 位优先编码器引脚功能可简化如表 26-1所示。工作原理如下： （1）当 EI=0，编码器不工作，GS=0、EO = 0 ，G1、G2 的或非门基本 RS 触发器 Q1 输出不变。 （2）当裁判员按下 SK 使 G3 门 Q2 出 1，则 EI=1。但尚未宣布抢答，S8～S1 全 0，则 GS=0、EO = 1 使 G1 的 Q1=0，则 BI=0 为灭灯状态，数码管暗。 （3）当裁判员宣布抢答开始，有人抢答，先按下 Si 者，如 S6（I5）先按下，则有编码输 Y2Y1Y0=101。通过 74HC28C 超前进位全加器“加 1”S3S2S1S0=0110=（6）10。 同时 GS=1，EO = 0 使 G1 的 Q=1，分二路传输，一路通过 R2、C 微分电路由于 C 电压不能 突变，使 UC 产生高电平则 G3 的 Q2 出 0，即 EI=0，故 4532 禁止工作则 EO 为全 0，Q1 仍为 1 不变。 实验步骤： 1. 按图 26-1 所示电路连线，I7～I0 输入的开关 S8～S1，用 AX21 模块作为抢答者的开关，按顺序连接。 2. 将直流稳压电源调到+5V，关闭电源后与各器件和模块电源相连。 3. 开启稳压电源 4. 按一下 AX22 按钮，“”观察①～⑦测点状态和数码管显示值记于表 26-2 序号 1 中。 5. 随机对 S8～S1 同时手动按下（拨动）AX21 的 8 个开关任意几个为 1 状态，将观察到各测试点状态和数码管显示值记于表 26-2 序号 2 中。 实验注意事项： 1. 本实验项目由于器件和连线较多，尽可能仔细连线，避免接错，可一次成功。 2. 对测试点⑤的状态，由于当④为 1 的开始瞬间，微分电路出现尖脉冲，故⑤状态仅闪亮一下，应注意留神观察。 实验报告： 1. 是分析为何 4532 的 GS 端是否总是为 0 态，②的测试灯不亮的原因。 2. 根据本实验，总结用或非门组成基本 RS 触发器的逻辑功能。 3. 电路中能否省略 74HC283 超前进位全加器？对电路作用有何影响？ 4. 如果有两个开关同时按下抢答，在时序上是否能分辨出先后，一般门的电路传输时间 tpd 最大为 250ns (1ns=10-9s)。 触摸式密码电子锁电路 实验目的： 1. 熟悉用 D 触发器构成电子锁电路的方法。 2. 熟悉触摸开关功能和作用。 3. 熟悉用门电路组成多谐振荡电路和控制方法及其声响报警电路。 4. 掌握对触发器开机清零方法。 实验电路与工作原理： 电路如图 27-1 所示，其工作原理如下： 工作时接通电源 VDD，由 C0、R0 组成微分电路开机清零电路使所有 D 触发器清零，这是由于 C0 两端电压不能突变，使 UC 产生高电平，则触发器清零。 实验步骤： 1. 按图 27-1 所示电路连线，触摸开关连接到 D 触发器的输入端。 2. 将直流稳压电源调到+5V，关闭电源后与各器件和模块电源相连。 3. 开启稳压电源 4. 触摸开关，观察触摸式密码电子锁电路的工作状态。 实验注意事项： 1. 本实验项目由于器件和连线较多，尽可能仔细连线，避免接错，可一次成功。 2. 对触摸开关的触摸动作，需要注意观察触摸开关的状态变化。 实验报告： 1. 是分析触摸式密码电子锁电路的工作原理和实现方法。 2. 根据本实验，总结用 D 触发器构成电子锁电路的逻辑功能。 3. 电路中能否省略某些器件？对电路作用有何影响？ 4. 如果有多个密码同时输入，在时序上是否能分辨出先后，一般门的电路传输时间 tpd 最大为 250ns (1ns=10-9s)。 本实验报告涵盖了数字电子技术中两个重要的实验项目：八位抢答电路和触摸式密码电子锁电路。通过这两个实验项目，我们可以熟悉数字电子技术的基本原理和应用方法，并掌握使用 CD4532 8 位优先编码器和 D 触发器构成电子锁电路的方法。

设计题目：单管共射放大电路 设计一个单管射极偏置共射放大电路，主要技术参数：电压增益：Av≥50，输入正弦信号电压：Vi＝28.33mV（最大值），负载电阻：RL＝5.1kΩ，环境温度：t＝0～70℃，半导体三极管：2N222A（β实测） 【模拟电子技术单管共射放大电路】 模拟电子技术中的单管共射放大电路是一种基本的放大器设计，常用于音频信号的放大。在电子工程领域，这种电路因其电压增益高、频率响应广泛等特点而广泛应用。本次设计任务是构建一个射极偏置的共射放大电路，其主要技术参数包括电压增益 Av ≥ 50，输入正弦信号电压 Vi = 28.33mV（最大值），负载电阻 RL = 5.1kΩ，以及使用的半导体三极管为2N222A，考虑环境温度范围 t = 0～70℃。 课程设计的目的在于让学生巩固和深化在模拟电子技术基础课程中学到的理论知识和实验技能，通过解决实际问题来训练学生综合运用所学知识，包括查找资料、选择设计方案、设计电路、安装调试、分析结果和撰写报告。这不仅锻炼了学生的分析和解决问题的能力，也为他们后续的学习、毕业设计和未来工作奠定了基础。 设计要求主要包括： 1. 明确设计任务，理解性能指标和设计要求。 2. 选择和论证方案，通过查阅资料对比不同设计方案，选择合理、可靠、经济且易于实现的方案。 3. 设计单元电路，计算元件参数，选择适当的器件。 4. 使用Multisim 8等设计工具绘制原理图，标注关键测试点及理想参数。 5. 进行仿真验证，对比理论值与仿真结果，调整电路直至满足设计要求。 设计的主要内容是单管共射放大电路。在射极偏置共射放大电路中，分压电阻用于维持基极电压VB的基本恒定，而射极电阻Re则提供了电流负反馈，增强了温度稳定性。设计时，需考虑静态工作点的设置，确保不出现饱和或截止失真。静态工作点的确定包括： - VCE（集电极-发射极电压）应大于输出电压幅度Vom加上饱和压降VCES，以避免饱和失真。 - IC（集电极电流）通常设定为约1mA，以防止截止失真。 - 电源电压VCC的选择需要大于2倍的VCE加上发射极电压VE，确保晶体管能够正常工作。 - Rb1和Rb2是基极偏置电阻，通过式(5)和(6)计算得出，以满足温度稳定性条件。 - Re的值由VB、VBE和IC的关系确定，如式(7)所示。 - Rc（集电极电阻）的选取要考虑电压增益Av的要求，即βRc ≈ Av * Ri，其中Ri是输入电阻。 在完成以上设计后，还需要通过仿真工具验证电路性能，观察波形，确保满足设计参数。如果仿真结果与理论计算有较大偏差，需要找出原因并进行调整，直至达到设计目标。这样的设计过程有助于学生掌握模拟电子电路设计的基本步骤，提升他们的实践操作能力。

电子技术实验，可编程放大器，整个文档，步骤全面，条理清晰

1、设计要求 使用555时基电路产生频率为20kHz~50kHz的方波I作为信号源；利用此方波I，可在四个通道输出4中波形：每个通道输出方波II、三角波、正弦波I、正弦波II中的一种波形，每个通道输出的负载电阻均为600欧姆。 2、五种波形的设计要求 （1）使用555时基电路产生频率20kHz~50kHz连续可调，输出电压幅度为1V的方波I； （2）使用数字电路74LS74，产生频率5kHz~10kHz连续可调，输出电压幅度为1V的方波II； （3）使用数字电路74LS74，产生频率5kHz~10kHz连续可调，输出电压幅度为3V的三角波； （4）产生输出频率为20kHz~30kHz连续可调，输出电压幅度为3V的正弦波I； （5）产生输出频率为250kHz，输出电压幅度峰峰值为8V的正弦波II； 方波、三角波和正弦波的波形应无明显失真（使用示波器测量时）。频率误差不大于5%；通带内输出电压幅度峰峰值不大于5%。 3、电源只能选用+10V单电源，由稳压电源供给。 4、要求预留方波1、方波II、三角波、正弦波I、正弦波II和电源测试端子。

《大学模拟电子技术课件》是一份来自吉林大学的教学资源，包含了模拟电子技术课程的多个章节内容。模拟电子技术是电子信息工程专业的重要基础课程，它主要研究电子设备和系统中的信号处理，涉及电路分析、半导体器件、放大器设计等多个方面。这份课件是学习者深入理解和掌握模拟电子技术知识的有效辅助资料。 1. **第一章：基本概念与半导体器件** 第一章通常会介绍电子技术的基本概念，包括电压、电流、电阻等基本物理量，以及欧姆定律的运用。此外，还会详细介绍二极管和三极管这两种基础半导体器件的工作原理、特性以及应用，如整流、稳压和放大等。 2. **第二章：放大电路基础** 这一章通常涵盖放大器的基本结构和工作原理，包括共射极、共集极和共基极放大电路的特点，以及电压增益、输入电阻和输出电阻的计算。同时，可能会讲解基本的晶体管放大电路设计和分析方法。 3. **第三章：负反馈放大器** 负反馈是提高放大器稳定性和性能的重要手段。这一章会讨论负反馈的类型（电压反馈和电流反馈）、负反馈对放大电路性能的影响，以及深度负反馈的计算方法。 4. **第四章：集成运算放大器** 集成运算放大器在现代电子技术中广泛应用，其理想特性和实际应用中的非线性效应是本章的重点。会讲解各种基本运算放大器电路，如反相、非反相放大器，以及比较器、积分器和微分器等。 5. **第五章：电源电路** 电源电路提供稳定的工作电压，本章可能涵盖直流稳压电源的设计，包括串联调整型电源的工作原理，以及LM78XX、LM79XX系列稳压芯片的使用。 6. **第六章：放大器频率响应** 讲解放大器的频率特性，包括截止频率、带宽、波特图等，以及如何通过选择元件来改善放大器的频率响应。 7. **第七章：振荡电路** 振荡电路能自动生成特定频率的电信号，这一章会涉及LC振荡器、RC振荡器的工作原理，以及晶体振荡器的应用。 8. **第八章：功率放大器** 功率放大器用于驱动负载，本章可能包括功率放大器的分类、效率和失真，以及大信号模型的分析。 9. **第九章：模拟集成电路** 最后一章可能介绍一些高级的模拟集成电路，如运放的应用、比较器、ADC和DAC等，并探讨模拟电路设计的现代趋势。 通过学习这些课件，学生不仅可以掌握模拟电子技术的基础知识，还能了解并实践各种电路设计技巧，为未来的学习和职业发展打下坚实基础。无论是对初学者还是复习者，这套课件都是极具价值的参考资料。

《数字电子技术基础教程答案第三版》是针对学习数字电子技术的学生或自学者的重要参考资料，由知名专家余孟尝编著。这本书详细解答了教材中的各类问题，旨在帮助读者深入理解数字电路的基本概念、原理和应用。 数字电路是电子工程领域的一个核心分支，主要研究数字信号的处理和传输。它涵盖了逻辑门、组合逻辑电路、时序逻辑电路、存储器、数模与模数转换器等多个主题。本教程的答案部分将帮助读者逐一解析这些关键概念。 在“数字电路”这一章节中，你可能会学到以下知识点： 1. **逻辑门**：基本的逻辑门包括与门、或门、非门，以及它们的复合门如与或门、异或门等。这些门电路是构建所有数字系统的基础，理解它们的逻辑功能和真值表至关重要。 2. **布尔代数**：布尔代数是分析和设计数字电路的数学工具，用于简化复杂的逻辑表达式，例如代数化简法和卡诺图方法。 3. **组合逻辑电路**：这些电路的输出仅依赖于当前的输入，没有记忆功能。例如编码器、译码器、数据选择器、加法器等，它们在数据处理中起到重要作用。 4. **时序逻辑电路**：与组合逻辑电路不同，时序逻辑电路具有记忆功能，如寄存器、计数器等。它们在处理顺序信息和存储数据时非常有用。 5. **存储器**：分为只读存储器(ROM)和随机访问存储器(RAM)，是计算机存储数据的关键组件，了解它们的工作原理和类型（如静态RAM和动态RAM）对于理解计算机系统至关重要。 6. **数模与模数转换器**：D/A和A/D转换器是数字系统与模拟世界之间的桥梁，用于实现数字信号和模拟信号之间的转换。 7. **逻辑设计**：包括硬连线逻辑设计和微程序设计，前者使用门电路实现特定功能，后者则通过控制存储来实现复杂操作。 8. **数字电路的分析和设计**：如何利用逻辑函数和电路元件来实现特定的逻辑操作，以及如何优化电路性能，如减少延迟和提高效率。 9. **实验与实践**：通过实际操作和实验，巩固理论知识，掌握数字电路的设计和测试方法。 余孟尝教授的第三版答案集应包含了对这些知识点的详细解答，有助于读者在遇到困难时找到正确的解题思路，同时也可作为自我检验和提升理解力的工具。通过深入学习和实践，读者将能够熟练掌握数字电子技术，为今后的电子工程或相关领域的学习打下坚实基础。

升压斩波电路（boost变换）（simulink仿真）电力电子技术（六）

降压斩波电路（buck变换）（simulink仿真）电力电子技术（五）

《模拟电子技术基本》（陈光梦）习题解答，复旦微电子

场效应晶体管（FET）是一种重要的电子器件，它在现代电子电路中扮演着核心的角色。在场效应晶体管中，栅极（Gate，G）、漏极（Drain，D）和源极（Source，S）是其三个基本电极。栅极与源极之间加电阻是一个在电路设计中常见的操作，这一操作有其特定的原理和作用。 栅极与源极之间加电阻的一个作用是为场效应管提供偏置电压。在电子电路中，偏置电压是必要的，它能确定器件的工作点，使其处于最佳工作状态。在MOS场效应晶体管中，由于栅极与沟道之间是通过一个非常薄的绝缘层相隔，因此栅极几乎没有漏电流，这意味着一旦施加偏置电压后，该偏置电压会很稳定地保持，从而为MOSFET提供稳定的栅源电压。这一电压对于确定晶体管的导通状态是至关重要的。 栅极与源极之间加电阻还起到泻放电阻的作用，起到保护栅极G-源极S。场效应管尤其是金属氧化物半导体场效应晶体管（MOSFET）的栅极对静电非常敏感。在实际使用过程中，器件可能会遇到静电放电（ESD）等现象，这些静电在栅极和源极之间可能会产生高电压，导致栅极绝缘层被击穿，甚至破坏晶体管。通过在栅极与源极之间串入适当的电阻，可以在一定程度上防止静电积累，并且当晶体管关闭时，可以将栅极存储的电荷迅速释放，从而保护了栅极不受静电的损害。 此外，在MOS管工作于开关状态时，栅极的充放电过程可能因为外部电源关闭而中断，这时栅极与源极之间的电容仍然可能带有电荷。这导致了在开关瞬态期间，即使电源已经关闭，栅极的电场可能仍然存在，有可能在再次通电时导致器件在激励信号尚未稳定建立前瞬间导通，产生大电流，这种情况可能会损坏MOS管。为了预防这种情况，需要在栅极和源极之间并接一个泄放电阻（R1），这样在电源关闭后，泄放电阻可以迅速将存储在栅极的电荷释放，避免了栅极电场造成的误动作。 泄放电阻的阻值需要精心选择，既不能太大，以免影响MOSFET的正常开关特性，也不能太小，以免泄放电阻本身消耗过多的功率。通常情况下，这个阻值会设置在几千欧姆到几十千欧姆之间。 需要注意的是，这种通过在栅极与源极之间加电阻来提供保护的方法主要是针对MOS管用作开关应用时。当MOS管用于线性放大等其他应用场景时，并不一定需要设置泄放电路。在不同的应用中，电路设计需要根据器件的特性以及使用环境的不同来决定是否需要加入特定的保护措施。 总而言之，栅极与源极之间加电阻在场效应管的电路设计中是一个重要且实用的技术手段，它不仅可以为场效应管提供稳定的偏置，更关键的是可以有效地保护器件免受静电等外界因素的损害。这一技术手段体现了电子工程设计中对器件保护与稳定性考虑的重视，是电子技术应用中不可忽视的基础知识。