普通的 semi－local（主要是指 LDA 和 GGA）方法计算带隙是 有问题，一般低估 1－2 个电子伏特。解决的办法就是用更精确的 GW 或 杂化泛函的方法。由于目前广泛使用的软件是 VASP，而 VASP 是很难使用 GW 方法计算带隙的，所以这里主要讲用杂化泛函（HSE）的方法计算带隙。

在密度泛函理论的框架内，研究了电场对两个石墨烯片（G / MoS2 / G）之间的MoS2单层电子性能的影响。 我们表明，在垂直于G / MoS2 / G超晶格的方向上施加的正负电场会显着改变整个系统的电子结构，从而可以控制能隙值。 结果表明，在费米能级附近，无论有没有外场，能量色散几乎都是线性的。 我们通过检查C原子状态的预计密度和石墨烯内的电荷重新分布以及由电场驱动的石墨烯和MoS2层之间的电荷转移，阐明了间隙调整的机制。 这些发现是对G / MoS2 / G系统的实验研究的有益补充，并为该超晶格在快速和高通断开关晶体管方面的非凡性能提供了理论解释。

具有正交结构（Pbca-BN，空间）的完全四面结合的氮化硼（BN）同素异形体组：Pbca）通过第一性原理计算进行了研究。 在这项工作中，我们调查了密度泛函理论研究Pbca-BN的结构，弹性，电子性质和弹性各向异性局部密度逼近框架中采用超软伪势方法的三维方法（LDA）和广义梯度近似（GGA）。 根据我们的计算，我们发现Pbca- BN的体积模量为344 GPa，剪切模量为316 GPa，大的德拜温度为1734 K， 较小的位置比率0.14和60.1 GPa的硬度，从而使其成为具有以下特性的超硬材料： 潜在的技术和工业应用。 我们的计算表明，Pbca-BN在机械上是稳定，是一个宽带隙为5.399 eV的绝缘体。