ic 版图设计经验总结 ic 版图设计是集成电路（IC）设计的重要步骤之一。一个良好的版图设计可以确保芯片的可靠性、性能和制造效率。在这里，我们总结了 ic 版图设计的经验总结，包括版图设计的基本原则、版图设计的步骤、版图设计的注意事项和版图设计的技巧。 版图设计的基本原则 1. 版图设计的目标是实现芯片的可靠性、性能和制造效率。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该考虑到芯片的电气特性和热特性。 4. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 版图设计的步骤 1. 分析电路图，了解电路的工作原理和性能要求。 2. 选择合适的工艺和设计规则。 3. 进行版图设计，包括设备的布局、连线和布线。 4. 检查和验证版图设计的正确性和可靠性。 版图设计的注意事项 1. 版图设计应该考虑到芯片的热特性和电气特性。 2. 版图设计应该遵守工艺规则和设计规则。 3. 版图设计应该尽量减少芯片的面积和功耗。 4. 版图设计应该考虑到芯片的可靠性和可维护性。 版图设计的技巧 1. 使用合适的设计工具和软件。 2. 合理安排设备的布局和布线。 3. 使用合适的连接方式和线宽。 4. 考虑到芯片的热特性和电气特性。 ic 版图设计经验总结 1. 查看捕捉点设置是否正确，08 工艺为 0.1，06 工艺为 0.05，05 工艺为 0.025。 2. Cell 名称不能以数字开头，否则无法做 DRACULA 检查。 3. 布局前考虑好出 PIN 的方向和位置。 4. 布局前分析电路，完成同一功能的 MOS 管画在一起。 5. 对两层金属走向预先订好，一个图中栅的走向尽量一致，不要有横有竖。 6. 对 pin 分类，vdd、vddx 注意不要混淆，不同电位（衬底接不同电压）的 n 井分开。 7. 在正确的路径下（一般是进到 ~/opus）打开 icfb。 8. 更改 cell 时查看路径，一定要在正确的 library 下更改，以防 copy 过来的 cell 是在其他的 library 下，被改错。 9. 将不同电位的 N 井找出来。 10. 更改原理图后一定记得 check 和 save。 11. 完成每个 cell 后要归原点。 12. DEVICE 的个数是否和原理图一至（有并联的管子时注意）；各 DEVICE 的尺寸是否和原理图一至。 13. 如果一个 cell 调用其它 cell，被调用的 cell 的 vssx、vddx、vssb、vddb 如果没有和外层 cell 连起来，要打上 PIN，否则通不过 diva 检查。 14. 尽量用最上层金属接出 PIN。 15. 接出去的线拉到 cell 边缘，布局时记得留出走线空间。 16. 金属连线不宜过长。 17. 电容一般最后画，在空档处拼凑。 18. 小尺寸的 mos 管孔可以少打一点。 19. LABEL 标识元件时不要用 y0 层，mapfile 不认。 20. 管子的沟道上尽量不要走线；M2 的影响比 M1 小。 21. 电容上下级板的电压注意要均匀分布；电容的长宽不宜相差过大。 22. 多晶硅栅不能两端都打孔连接金属。 23. 栅上的孔最好打在栅的中间位置。 24. U 形的 mos 管用整片方形的栅覆盖 diff 层，不要用 layer generation 的方法生成 U 形栅。 25. 一般打孔最少打两个。 26. Contact 面积允许的情况下，能打越多越好，尤其是 input/output 部分，因为电流较大。 27. 薄氧化层是否有对应的植入层。 28. 金属连接孔可以嵌在 diffusion 的孔中间。 29. 两段金属连接处重叠的地方注意金属线最小宽度。 30. 连线接头处一定要重叠，画的时候将该区域放大可避免此错误。 31. 摆放各个小 CELL 时注意不要挤得太近，没有留出走线空间。 32. Text2、y0 层只是用来做检查或标志用，不用于光刻制造。 33. 芯片内部的电源线/地线和 ESD 上的电源线/地线分开接；数模信号的电源线/地线分开。 34. Pad 的 pass 窗口的尺寸画成整数 90um。 35. 连接 Esd 电路的线不能断，如果改变走向不要换金属层。 36. Esd 电路中无 VDDX、VSSX，是 VDDB、VSSB。 37. PAD 和 ESD 最好使用 M1 连接，宽度不小于 20um；使用 M2 连接时，pad 上不用打 VIA 孔，在 ESD 电路上打。 38. PAD 与芯片内部 cell 的连线要从 ESD 电路上接过去。 39. Esd 电路的 SOURCE 放两边，DRAIN 放中间。 40. ESD 的 D 端的孔到 poly 的间距为 4，S 端到 poly 的间距为 0.2。 41. ESD 的 pmos 管与其他 ESD 或 POWER 的 nmos 管至少相距 70um 以上。 42. 大尺寸的 pmos/nmos 与其他 nmos/pmos（非 powermos 和 ESD）的间距不够 70um 时，但最好不要小于 50um，中间加 NWELL，打上 NTAP。 43. NWELL 和 PTAP 的隔离效果有什么不同？NWELL 较深，效果较好。 44. 只有 esd 电路中的管子才可以用 2*2um 的孔。怎么判断 ESD 电路？上拉 P 管的 D。

3．5版图设计 版图设计是电路设计中非常重要的一个环节，版图设计的好坏直接决定了最终产品能否达到电 路设计者所期望的性能指标。本设计中的版图是基于新加坡特许半导体(Chartered)O．18pm CMOS 工艺库，在Cadence环境下使用Virtuoso设计完成。下文详细阐述了本论文版图设计中关注的要点 以及相关设计方法。 3．5．1 设计规则 1)版图的对称性 由于该VCO采用差分结构，因此版图的对称性非常重要。首先，在单个VCO中，若不能保证 对称性，则差分输出信号的相位会存在偏差，这会给后级电路(Divider)的工作造成不良影响。而 且，根据第二章所述，对称的输出波形可以降低闪烁噪声对相位噪声的影响。 输出Buffer、电流镜等电路中也同样要注重对称性的设计。尽管一些失配不可避免，但如果不 充分注意版图中的对称性，就可能产生大的失调电压。且对称性设计还可以抑制共模噪声和偶次非 线性效应121J。 版图匹配性设计主要考虑以下六方面原则14纠： a)结构相同。有源器件、电阻、电容、电感相互匹配时，其电路结构及工艺都需要相同。 b)等温线相同。器件的参数很多是对温度敏感的，所以匹配器件必须有相同的本地温度。大功 率器件会在芯片内作为一个热源散发热量，所以版图设计时尤其要注意将需要匹配的器件放在大功 率器件的等温线上。 c)尺寸形状相同。对于电阻版图设计而言，两个要求匹配的电阻需要采用相同的宽长比以及方 块数，如果电阻有拐角的话，就需要具有相同的拐角数，相同的每一段尺寸。对于MoS管版图设 计而言，可以将它们设计成具有不同并联数目的两个管子来得到一个比较精确的比值。 d)采用共质心结构。质心可以简单地理解为质量均匀点，共质心布局可以减小工艺上的随机误 差。 e)方向相同。由于各向异性的工艺步骤会引起工艺参数的不对称性，同时硅衬底本身也具有各 向异性的特性，因此，匹配器件采用方向相同的布局可以减小工艺带来的各项异性问题。 f)周边环境相同。通过添加虚拟器件可以使有用器件工作环境相同，可避免由于工作环境不同 导致的失配。 2)寄生效应 模拟集成电路设计中，寄生参数对电路性能会有较大的影响，在高频下尤其明显。因此，在版 图设计中，应尽量减小寄生效应。 在VCO的版图设计中，通常重点关注与谐振回路相关的部分。首先来看交叉耦合管。晶体管 多晶硅栅的电导率远低于铝线，因此多晶硅栅的寄牛电阻往往不能忽略。如果栅电阻较大，就相当 于在电路中加入了一个噪声源，这会恶化电路的噪声性能。采用折叠结构可以改善这种情况。如图 3．15所示，(a)图为一个宽长比为W／L的大尺寸MOS管，假设栅电阻为2R。(b)图中用两个宽长比 为W／2L的MOS并联来替代它，那么栅电阻就变成两个R的并联，即R／2，相差4倍。折叠式结构 还可以减小源／漏区与衬底之间的结电容。对于图3-15(a)qb晶体管，有 C肋=Css=WEC，+2(W+E)Cj． (3．10) 其中Cj是与结底部相关的下极板单位面积电容，Cj洲是由于结周边引起的侧壁单位长度电容。 对于图3．15(b)有 形 矽 c脚=二三■EC，+2(三■+e)c胁 z z (3．11) 31

内容概要：本文档详细介绍了使用虚拟机环境下运行Cadence Virtuoso软件进行ASIC设计的基本流程，涵盖软件登陆、工艺库定义、原理图绘制及仿真、版图绘制、版图验证及后仿真等一系列实验操作步骤。文中针对各关键环节提供了详尽的指导，包括快捷方式的应用、各种设置的选择与调整方法，以及可能出现问题的解决办法。 适合人群：适合具备ASIC设计基础知识、有一定Cadence软件使用经验的研发人员，尤其是微电子学专业学生和科研工作者。 使用场景及目标：适用于希望掌握ASIC设计全过程的专业人士，目标在于深入理解和熟练运用Cadence平台的各项功能，提高设计效率与质量。文档不仅能够帮助初学者快速入门ASIC设计，还能作为资深设计师的技术参考手册。 其他说明：本教程采用的是版本11的VMware虚拟机及Cadence Virtuoso软件，操作过程中需要注意虚拟机环境配置、Cadence许可证申请等问题。此外，文档末尾附带了详细的DRC、LVS校验及PEX分析流程，这对于保障设计正确性和优化电路性能至关重要。

Cadence 两级放大电路，包括版图，已通过lvs ,drc检查 Cadence两级放大电路已经完成版图设计，并且已经通过了LVS（Layout vs. Schematic）和DRC（Design Rule Check）的检查。 在这段话中涉及到的知识点和领域范围是电路设计和集成电路设计工具。电路设计是指通过选择和配置电子元件，将它们连接在一起以实现特定功能的过程。而集成电路设计工具是用于设计和验证集成电路的软件工具，其中Cadence是一个常用的集成电路设计工具。 延申科普：集成电路设计是现代电子技术中的重要领域，它涉及到将多个电子元件（如晶体管、电容器、电阻器等）集成到单个芯片上，以实现各种功能。集成电路设计工具是帮助工程师进行电路设计和验证的软件工具，它们提供了各种功能和模块，包括原理图设计、版图设计、模拟仿真、验证和布局布线等。 Cadence是一个知名的集成电路设计工具供应商，他们提供了一系列的软件工具，包括用于原理图设计的Capture、用于版图设计的Virtuoso、用于模拟仿真的Spectre等。这些工具能够帮助工程师进行电路设计、验证和优化，提高电路设计的效

SMIC 0.18BCD的高压工艺库。由于软件版本问题，在后面跟新的版本只支持OA格式的工艺库，而大部分工艺库是CBD格式的。

轨对轨运算放大器的版图设计,rail to rail

如果你想使用Python进行版图设计，据我做毕业设计的了解只可参考的资料基本没有，、 上述的python资源代码是使用KLayout 的python接口设计版图的一个示例，你当然可以去Klayout的官网去看Python的使用说明，该文展示了一个光电探测器的版图设计过程，如果你不想再用手工通过Ledit、KLayout进行重复的版图设计，Python是一个很好的方案 如果你不同时具备Pyhton以及专业的版图绘制知识，该资源可能对你没有用处，非专业人士最好不要下载该资源

反向分析版图设计foundry的版图单元库根据实际项目要求设计电路版图设计高层次版图设计版图单元库21/8/54 CMOS集成电路版图西安邮电学院ASIC中心反

CMOS 与非或非门版图设计 实验步骤与方法,帮助你更好的学习版图设计

Unix操作系统常用命令 Cadence软件的主要运行环境是Unix操作系统。Unix是软件的主要运行环境是Unix操作系统。 常用 unix 命令 一、频繁使用的命令 1,ls 显示文件或目录信息 [语法] ls [-aAbcCdfFgilLmnopqrRstux1] [file ...] [常用选项] -l 显示文件具体信息 -a 列出目录中所有项，包括以.开头的隐含文件 -t 按最近一次修改的时间排序 -o 列出详细信息，-l 列出详细信息，包括隐含文件 -R 显示全部目录及文件 -x 按多列显示 [范例] ls -t . ;以修改时间排序显示当前目录中的内容 2，pwd 返回当前目录名;; clear 清除屏幕;; exit 退出，关闭 terminal,logout 3,cd 改变当前目录 [范例] cd ;回到用户根目录 cd ~user ;进入指定用户根目录中 cd .. ;回到上层目录 cd ~;回到当前用户目录 4,cp 复制文件或目录 [语法] cp [-r] source destination [常用选项] -r 复制整个目录 [范例] cp -r ../t