这是一个很好的模拟电子技术课件～～它由孙肖子主编，去看看吧！

模拟电路基础教材 模拟电路基础教材 模拟电路基础教材

电容阻碍电压变化，通高频、阻低频，通交流、阻直流; 电感阻碍电流变化，通低频、阻高频，通直流、阻交流。

1、半导体材料制作电子器件与传统的真空电子器件相比有什么特点? 　2、什么是本征半导体和杂质半导体？　3、空穴是一种载流子吗?空穴导电时电子运动吗?.。。。

主要是为了考研复试的面试总结的专业基础知识，把可能考的知识点罗列出来，便于自己记忆，尽可能帮助他人。

1．在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V。 2、二极管的正向电阻小；反向电阻大。 3、二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。 4、二极管最主要的电特性是单向导电性，稳压二极管在使用时，稳压二极管与负载并联，稳压二极管与输入电源之间必须加入一个电阻。 5、电子技术分为模拟电子技术和数字电子技术两大部分，其中研究在平滑、连续变化的电压或电流信号下工作的电子电路及其技术，称为模拟电子技术。 6、PN结反向偏置时，PN结的内电场增强。PN具有具有单向导电特性。 7、硅二极管导通后，其管压降是恒定的，且不随电流而改变，典型值为0.7伏；其门坎电压Vth约为0.5伏。 8、二极管正向偏置时，其正向导通电流由多数载流子的扩散运动形成。 9、P型半导体的多子为空穴、N型半导体的多子为自由电子、本征半导体的载流子为电子—空穴对。 10、因掺入杂质性质不同，杂质半导体可为空穴（P）半导体和电子（N）半导体两大类。

100个模电基础知识pdf,1）在常温下，硅二极管的门槛电压约为0.5V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.7V；锗二极管的门槛电压约为0.1V，导通后在较大电流下的正向压降约为0.2V；2）二极管的正向电阻小；反向电阻大；3）二极管的最主要特性是单向导电性。ＰＮ结外加正向电压时，扩散电流大于漂移电流，耗尽层变窄。

100道金牌面试题集绵，祝你稳稳的通过面试！ 1. 一般情况下，面试官主要根据你的简历提问，所以一定要对自己负责，把简历上的东西搞明白； 2. 个别招聘针对性特别强，就招目前他们确的方向的人，这种情况下，就要投其所好，尽量介绍其所关心的东西。 3. 其实技术面试并不难，但由于很多东西都忘掉了，才觉得有些难。所以最好在面试前把该看的书看看。 4. 虽然说技术面试是实力的较量与体现，但是不可否认，由于不用面试官/公司所专领域及爱好不同，也有面试也有很大的偶然性，需要冷静对待。不能因为被拒，就否认自己或责骂公司。 5. 面试时要take it easy，对越是自己钟情的公司越要这样。

模电基础知识经典问答

模拟电子技术基础简明教程（第三版）杨素行 答案及难点讲解