内容概要：本文详细介绍了TSMC 28nm工艺库的结构及其各组成部分的功能。TSMC 28nm工艺库包含完整的IO标准、标准单元库（Std）、存储器库（Memory），以及前后端文件，总计容量为160GB。文中分别阐述了IO库、标准单元库和存储器库的具体内容和应用场景，并提供了相应的Verilog代码示例，如IO单元、D触发器和SRAM的实例化代码。此外，还强调了这些组件在实际项目中的重要性和复杂度，帮助读者更好地理解和应用这一庞大的工艺库。 适合人群：从事芯片设计及相关领域的工程师和技术人员，尤其是那些需要深入了解TSMC 28nm工艺库的人群。 使用场景及目标：适用于正在使用或计划使用TSMC 28nm工艺库进行芯片设计的团队和个人。目标是帮助他们掌握库的结构和关键组件的应用方法，从而提高设计效率和质量。 其他说明：尽管TSMC 28nm工艺库文件庞大且复杂，但通过深入理解其各个部分的功能和相互关系，可以有效应对设计挑战并充分利用库的优势。

研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法。详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法，给出了基于门控时钟的后端实现流程，着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案。在中芯国际130 nm工艺下用synop sys公司的DC， IC Comp iler， PT，VCS等工具完成物理实现。在10 M时钟下，总功耗降低22. 6 % ，面积也有所减小。

90奈米混合臨界電壓標準元件庫設計及特性化

cadence工艺库、sunopsys标准单元库

将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础。通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解最大包问题等的相关算法,对现有的商用数字CMOS标准单元库进行有效筛选,得到适用于低电压工作的近阈值数字CMOS标准单元库。通过一个应用于传感网中的双电压域、双核微控制器流片测试,对此标准单元库进行了验证,结果显示其中工作在0.5 V下的高能效核的能量效率相较传统工作电压下提高到2.76倍。

用于高速数字系统的单轨MCML标准单元