研究了门控时钟技术在130 nm工艺、基于高阈值标准单元库下的低功耗物理实现方法。详细阐述了多级门控时钟技术的作用机制和参数的设置方法,给出了基于门控时钟的后端实现流程,着重分析了插入门控时钟对时钟偏移的影响并提出解决方案。在中芯国际130 nm工艺下用synop sys公司的DC, IC Comp iler, PT,VCS等工具完成物理实现。在10 M时钟下,总功耗降低22. 6 % ,面积也有所减小。
2022-09-09 16:56:33 415KB 电源管理
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90奈米混合臨界電壓標準元件庫設計及特性化
2021-10-14 11:05:00 1.66MB 工艺库 标准单元
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cadence工艺库、sunopsys标准单元
2021-09-03 16:30:43 21.06MB cadence工艺库、sunopsys标准单元库
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将电源电压降低到晶体管阈值电压附近可以有效提高数字电路的能效,而近阈值标准单元库是近阈值数字电路设计的基础。通过分析逻辑门间静态噪声容限的兼容性、逻辑门在宽电压范围下延时变化情况,并通过求解最大包问题等的相关算法,对现有的商用数字CMOS标准单元库进行有效筛选,得到适用于低电压工作的近阈值数字CMOS标准单元库。通过一个应用于传感网中的双电压域、双核微控制器流片测试,对此标准单元库进行了验证,结果显示其中工作在0.5 V下的高能效核的能量效率相较传统工作电压下提高到2.76倍。
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用于高速数字系统的单轨MCML标准单元
2021-03-03 09:08:26 48KB 研究论文
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