### 泛音晶振LC参数选择详解 #### 一、泛音晶振基本原理 泛音晶振是一种常用的频率控制元件，在许多电子设备中扮演着关键角色。它通过石英晶片的压电效应实现频率的稳定输出。石英晶片在受到外力作用时会产生电荷（正压电效应），而在施加电场时会发生形变（逆压电效应）。这种特性使得石英晶片能够作为振荡器中的核心元件。 #### 二、泛音晶振的频率特性 石英晶片在振动时会同时产生多个频率成分，包括基频和谐波。基频即为晶片自身振动的基本频率，而更高频率的成分则被称为泛音或谐波。常见的泛音包括三次泛音（三次谐波）、五次泛音（五次谐波）等，它们之间的频率成奇数倍关系。通常情况下，基频振幅最大，随着次数增加，振幅逐渐减小。 #### 三、泛音晶振的选择依据 1. **频率需求**：对于低频应用（3MHz~40MHz），可以直接使用基频晶振满足要求。但对于高频应用（>40MHz），由于石英晶片的厚度限制，无法仅依靠减小厚度来提高基频，因此需要使用泛音晶振。 2. **可靠性和成本**：过于薄的石英晶片不仅制造困难，而且容易损坏，这限制了基频晶振在高频段的应用。相比之下，采用泛音晶振可以有效避免这些问题，并保持较高的稳定性。 #### 四、LC参数的选择 在设计泛音晶振电路时，为了确保只保留所需的泛音频率，需要精心选择LC参数。具体来说，LC谐振电路的设计目标是在所需频率下呈现容性，以抑制其他频率成分，仅保留选定的泛音频率。 - **LC谐振频率范围**：为了确保电路能够在三次泛音频率下工作，LC谐振电路的频率必须满足以下条件：基频频率(16.7MHz)晶振（+4PPM）时，若外接电容为默认值，则测量频率偏移较大（+8.23PPM）。更换外接电容至18pF后，测得频率偏差减小至+4.99PPM，匹配效果良好。 - 更换另一标准晶振（-10.1PPM）并保持18pF外接电容不变，测得频率偏差为-7.22PPM，同样显示匹配良好。 2. **结论**：基于测试结果，推荐使用18pF的外接电容。这表明适当调整LC参数（特别是电容值）对于优化泛音晶振的工作性能至关重要。 合理选择LC参数对于设计高效的泛音晶振电路至关重要。这不仅可以确保电路仅保留所需的泛音频率，还能提高系统的整体性能和稳定性。在实际应用中，应根据具体需求仔细调整LC参数，以达到最佳效果。

有源晶振频率的精度可以达到10ppm左右，带温补的可达到0.5ppm，但是使用有源晶振在软件上需要修改配置，本人在原来25MHz晶体的基础上改为使用20MHz的有源晶振，在STM32F407VET6做了测试，OK。

　　高稳定度石英晶体谐振器(简称高稳晶振)是广泛应用于通讯、电子对抗、数传电台、计算机等电子信息产品的重要器件。高稳晶振的指标直接影响产品的可靠性，因此如何检测其性能是非常重要的。

1晶振的等效电气特性 (1) 概念 [1]晶片，石英晶体或晶体、晶振、石英晶体谐振器 从一块石英晶体上按一定方位角切下薄片。 [2]晶体振荡器 在封装内部添加IC组成振荡电路的晶体元件称为晶体振荡器。 (2)晶振的等效电路 Figure1. 晶振的等效电路 Figure 1展示了晶振等效的电路。R是有效的串联电阻，L和C分别是电感和电容动态元件。CP 是晶振电极的分流电容。 (3) 晶振等效电路的特殊状态 Figure2是Figure 1电路中的阻抗频率图，不分析得出此图规律的过程(原理)。 Figure2. 晶振的阻抗VS 频率图 [1] 串联谐振频率 根据Figure 2，当晶振工作在串联谐振(《电路基础》)状态(XC=XL)下时电路就似一个纯电阻电路。串联谐振的频率为： [2] 并联谐振频率 Figure 2中体现了随着频率小范围的升高，Figure1所示电路出现了并联谐振。此时的频率为fa(不分析电路产生并联谐振的过程)。 [3] 串联谐振与并联谐振之间的频率并联CL的并联谐振 Figure1所示电路有两个谐振点，以频率

1.匹配电容-----负载电容是指晶振要正常震荡所需要的电容。一般外接电容，是为了使晶振两端的等效电容等于或接近负载电容。要求高的场合还要考虑ic输入端的对地电容。一般晶振两端所接电容是所要求的负载电容的两倍。这样并联起来就接近负载电容了。2.负载电容是指在电路中跨接晶体两端的总的外界有效电容。他是一个测试条件，也是一个使用条件。应用时一般在给出负载电容值附近调整可以得到精确频率。此电容的大小主要影响负载谐振频率和等效负载谐振电阻。3.一般情况下，增大负载电容会使振荡频率下降，而减小负载电容会使振荡频率升高。4.负载电容是指晶振的两条引线连接IC块内部及外部所有有效电容之和，可看作晶振片在电路中串接电容。负载频率不同决定振荡器的振荡频率不同。标称频率相同的晶振，负载电容不一定相同。因为石英晶体振荡器有两个谐振频率，一个是串联揩振晶振的低负载电容晶振：另一个为并联揩振晶振的高负载电容晶振。所以，标称频率相同的晶振互换时还必须要求负载电容一至，不能冒然互换，否则会造成电器工作不正常。晶振旁的电阻(并联与串联)一份电路在其输出端串接了一个22K的电阻，在其输出端和输入端之间接了一个10M的电

1. 晶振与晶体的区别 2. MEMS硅晶振与石英晶振区别 3. 晶体谐振器的等效电路

STM32密码锁课设完整资源分享！！！！！！！！！以下是介绍 芯片：STM32F103C8T6 显示：LCD1602 键盘输入模块：4X4矩阵键盘，包含数字、符号与基本功能按键 开锁电路：继电器模块 功能：设计单片机以及开锁电路，通过键盘输入正确的密码解锁，通过显示模块显示锁的状态，并具备正确/错误密码提示、修改密码、密码输入错误5次后自动锁定1小时（外部晶振精确计时 附带各功能函数流程图proteus8.13仿真

引言 高精度时间基准已经成为通信、电力、工业控制等领域的基础保障平台之一。时统设备通常采用晶体振荡器作为频率标准，但都由于晶振老化和温度变化等原因导致其频率长期稳定度差。随着GPS技术的发展和应用，利用GPS作为精确时间源的优良特性来同步本地时钟信息。但在实践中由于GPS提供的1pps信号经常受到干扰，如磁场干扰，多径误差等，造成误将干扰信号作为正常的1pps信号或GPS信号跟踪丢失等问题，导致测控系统出现误差过大现象，精度和稳定性难以保证。故1pps信号不能直接从GPS接收板作为精确的同步信号，必须通过技术处理，使其保持高精度和工作连续稳定性。目前针对上述问题文献多使用分立器件或单片机作为主控制器，需要添加外围时间间隔测量或鉴相等电路，不适宜用于压控晶振频率较高的场合。 本文是利用GPS提供的1pps秒脉冲信号，为解决上述问题，在FPGA（fieldprogrammablegatearray）的基础上利用干扰秒脉冲信号消除和偏差频率平均运算等方法，减少外围电路，既消减了GPS时钟信号的随机干扰误差，又消除了本地晶振时钟信号的累计误差，从而控制本地压控晶振输出频率，提高晶振的长期稳

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GD30F130 温度传感器 DS18B20 主控使用GD30F130F8P6测试。 内部晶振的。使用GD自己的库，