对于一个晶圆，除了要有单晶结构之外，还需要有特定的晶向（crystal orientation）。通过切割如图3.4的单晶块可以想象这个概念。在垂直平面上切割将会暴露一组平面，而角对角切割将会暴露一个不同的平面。每个平面是独一无二的，不同在于原子数和原子间的结合能。每个平面具有不同的化学、电学和物理特性，这些特性将赋予晶圆。晶圆要求特定的晶体定向。 晶面通过一系列称为密勒指数的三个数字组合来表示。如图3.5有两个简单的立方晶胞嵌套在XYZ坐标中。两个在硅晶圆中最通常使用的晶向是<100>和<111>晶面。晶向描述成1-0-0面 和1-1-1面，括弧表示这三个数是密勒指数。 <100>晶向的晶圆

在半导体工艺中，单晶定向切割是晶体加工的基本工序之一。半导体激光器的效率和外延层的质量都依赖于衬底的定向精确度。