智能手机的兴起使得手机耗电量急速上升，而成本、电池技术都限制了电池续航时间，在没有办法解决电池续航问题的时候，为用户提供更快的充电速度似乎成了解决手机待机问题理所当然的方法，在这个大背景下，现在的手机快充技术越来越多的被手机厂商们使用和青睐。 　　一：快充技术原理-快速充电原理 　　电池核心仍是锂离子，大多数厂商走的，基本是“开源”和“节流”两条路——电池厂商努力提升能量密度加大容量，芯片厂商则在寻求低功耗方案，但这两者都是有上限的：前者手机便携性所限，后者是是技术限制。 　　既然开源节流效果都不明显，厂商就开始采用“曲线救国“的方案：提高手机的充电速度，从

有没有遇到过在外旅行期间手机没电，相机没电，蓝牙耳机没电的窘境。即使在出行前准备好了充电宝，但有时依然满足不了手机的"吃"电速度。这时为何不考虑下购买一款太阳能充电宝，时常听到这样的广告语“有光就有电”，听起来很美好，但是现在依然在大街上很难看见太阳能充电宝的身影。 为了解决上述问题和满足我的DIY爱好，使用共享单车太阳能电池板制作了一款太阳能充电宝。其具有MPPT太阳能最大功率点跟踪功能，升压电路使用IP2161进行快充协议识别与匹配，能够支持多种快充协议。话不多少，下面看看项目结果。 制作完成的PCB 升压电路: 更多细节请查看项目原理图。

氮化镓（GaN）是一种高电子迁移率晶体管(HEMT)，意味着GaN器件的临界电场强度大于硅。对于相同的片上电阻和击穿电压，GaN的尺寸更小。GaN还具有极快的开关速度和优异的反向恢复性能。 一、氮化镓（GaN）器件介绍:GaN器件分为两种类型: 耗尽型:耗尽型GaN晶体管常态下是导通的，为了使它截止必须在源漏之间加一个负电压。 增强型:增强型GaN晶体管常态下是截止的，为了使它导通必须在源漏之间加一个正电压。 GaN VS MOSFET: 他们的关键参数都是导通电阻和击穿电压。GaN的导通电阻非常低，这使得静态功耗显著降低，提高了效率。GaN FET的结构使其输入电容非常低，提高了开关速度。意味着GaN具有更高的效率，并可以使用更少的电磁学和被动元件。 二、手机快充介绍:能在极短的时间内（0.5-1Hr）使手机电池达到或接近完全充电状态的一种充电方法。 实现手机快速充电方法: 1.电压不变，提高电流； 2.电流不变，提升电压； 3.电压、电流均提高。 手机快速充电技术目前分为“高压小电流快充”和“低压大电流快充”两种方案。VOOC闪充和Dash闪充属于后者“低压大电流快速充电”。快速充电对手机电池的寿命没有影响，现在的电池都可以承受大电流。 三、氮化镓（GaN）快充:氮化镓（GaN）快充在已有的快充技术上通过改用氮化镓（GaN）核心器件，将手机快速充电器做到功率更大、体积更小、充电速度更快。 氮化镓（GaN）快充方案包含两个部分，充电器部分和电源管理部分 充电器部分:充电管理芯片根据锂电池充电过程的各个阶段的电器特性，向充电器发出指令，通知充电器改变充电电压和电流，而充电器接收到来自充电管理系统的需求，实时调整充电器的输出参数，配合充电管理系统实现快速充电。 电源管理部分:相应的芯片置于移动智能终端内，有独立的电源管理芯片，也有的直接集成在手机套片中，电源管理芯片对锂电池的整个充电过程实施管理和监控，包含了复杂的处理算法，锂电池充电包括几个阶段:预充阶段、恒流充电阶段，恒压充电阶段、涓流充电阶段。 转载自唯样电子资讯。

智能手机的兴起使得手机耗电量急速上升，而成本、电池技术都限制了电池续航时间，在没有办法解决电池续航问题的时候，为用户提供更快的充电速度似乎成了解决手机待机问题理所当然的方法，在这个大背景下，现在的手机快充技术越来越多的被手机厂商们使用和青睐。 　　一：快充技术原理-快速充电原理 　　电池仍是锂离子，大多数厂商走的，基本是“开源”和“节流”两条路——电池厂商努力提升能量密度加大容量，芯片厂商则在寻求低功耗方案，但这两者都是有上限的：前者手机便携性所限，后者是是技术限制。 　　既然开源节流效果都不明显，厂商就开始采用“曲线救国“的方案：提高手机的充电速度，从常规

最新完整英文电子版 Qualcomm Quick Charge Technology Device List（高通快充技术设备清单）。本文件列出所有满足QC2.0/3.0/4+/4/4+/5的电源控制芯片，充电器， 充电宝等， 方便大家查询参考。