忆阻器，即第四电路元件，是Chua在1971年从理论上预测的，并已于2008年实现。但是，随着忆阻器的广泛应用，传统的忆阻器模型面临着更多的挑战，例如实用性，准确性和灵活性。 本文提出了一种基于公认的经典Simmons隧道模型的准确而灵活的阈值自适应忆阻器（TEAM）模型，该模型考虑了焦耳热效应引起的离子扩散。使用改进的控制方法进行存储。 结果表明，该方法提高了非易失性忆阻图像处理中并行处理的效率。
2022-03-29 14:29:10
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忆阻器有多种型号。 在给定的理想忆阻器忆阻器模型中，给出了具有Joglekar窗和Prodromakis窗的忆阻器非线性边界漂移模型。 通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程，我们可以选择上述模型之一。
2022-03-14 22:44:42
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为了使忆阻器具有与其他器件相结合的能力，本文在惠普实验室提出的忆阻器物理模型电路关系的基础上，在Simulink中用二种方法对忆阻器进行了双端口建模，方便准确的实现了对于忆阻器的仿真。与编写M文件、构建图形用户界面和搭建输入输出模型的建模方法相比。基于Simulink的双端口模型不仅能够方便准确的观察忆阻器的输入输出特性，而且具有更广阔的应用范围，对于忆阻器的研究有一定的指导作用。
2022-03-11 10:37:59
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记忆电阻器或忆阻器是除传统元件 R、L 和 C 之外的第四种基本无源非线性元件。忆阻器是 LO Chua 于 1971 年发现的，但最近被 HP 实验室的研究人员发现。 预计它将不仅在文献上而且在纳米电子行业中都将发生巨大的变化。 这是在 Simulink/Matlab 中运行的忆阻器的模拟，并使用 Dmitri B. Strukov 等人最近发表的两篇论文中给出的参数值构建。 自然和 Yogesh N. Joglekar 等人在欧洲物理学杂志上。
2022-01-07 08:16:42
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忆阻器有多种型号。 在给定的文件中，给出了具有 Joglekar 窗和 Prodromakis 窗的忆阻器的 matlab 非线性边界漂移模型。 通过取消注释所需的窗口方程并注释掉其他窗口方程，我们可以选择上述模型之一。
2021-09-06 20:08:50
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文件中包含7种不同的忆阻器模型Memristor model, 有Biolek，Generic，Joglekai，Pershin等，可在LTSPICE和Verilog仿真软件上上运行
2021-03-21 15:17:57
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