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低相位噪声宽带LC压控振荡器设计
基于0.13 μm CMOS工艺,设计了一款低相位噪声宽带LC压控振荡器。采用
开关电容阵列
使VCO在达到宽调谐范围的同时保持了低相位噪声。采用可变容阵列提高了VCO频率调谐曲线的线性度。仿真结果表明,在1.2 V电源电压下,电路功耗为3.6 mW。频率调谐范围4.58 GHz-5.35 GHz,中心频率5 GHz,在偏离中心频率1 MHz处相位噪声为-125dBc/Hz。
2021-09-24 15:54:25
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压控振荡器
开关电容阵列
可变电容阵列
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