《基于SMIC18mmrf工艺的8位40M采样频率异步SAR ADC设计全解：原理、仿真与实现》,全新8位40M采样频率异步SAR ADC设计案例：含核心电路原理图与版图，通过全面验证的仿真文档与详细设计说明,已经完成的流片项目8bit 40M采样频率 异步SAR ADC设计 包括核心电路的原理图和版图（DRC LVS ANT都过了）有测试电路和后仿文件 带详细设计仿真文档 smic18mmrf工艺，有工艺库，有电路工程文件，提供仿真状态，可以直接导入自己的cadence运行仿真 前仿有效位数ENOB=7.84（电路里新的ADE可以到7.94） 后仿ENOB7.377，适合入门SAR ADC 顶层电路包括: 栅压自举开关Bootstrap Vcm_Based开关时序 上级板采样差分CDAC阵列 两级动态比较器 比较器高速异步时钟 动态sar逻辑 8位DFF输出 8位理想DAC。 带详细说明，告诉你各个模块怎么设计，原理是什么，有哪些注意事项，怎么仿真，包看包会。 包括详细仿真文档，原理介绍，完整电路图，仿真参数已设好，可直接使用，在自己的电脑上就可以运行仿真。 ,关键词提取结

内容概要：本文详细探讨了基于TSMC 18工艺的1.8V LDO（低压差线性稳压器）电路设计，重点介绍其设计理念、方法和实践过程。文中使用Cadence Virtuoso工具进行模拟电路设计，涵盖带隙基准电路的设计原理、LDO电路的具体实现步骤以及仿真的验证过程。最终生成了完整的工程文件和14页设计报告，确保设计的高精度、低噪声和良好稳定性。 适合人群：从事模拟IC设计的专业人士，尤其是对LDO电路和带隙基准电路感兴趣的工程师和技术研究人员。 使用场景及目标：适用于需要设计高性能LDO电路的应用场合，如便携式电子产品、通信设备等。目标是帮助读者掌握LDO电路和带隙基准电路的设计方法，提升实际项目中的设计能力。 其他说明：本文不仅提供了详细的理论讲解，还附有具体的代码片段和仿真结果，便于读者理解和实践。

工艺中的问题 甩胶可能出现的缺陷: *位于旋转的晶圆的边缘的粒子的运动速度可达到70mph! 缺陷 原因 针孔 污染 云状膜 超湿度 涂胶不平 注口不准, 光刻胶不充分 太厚/薄 旋涂速度不合适, 光刻胶黏度（老化）， 湿气改变 “彗星” 滴胶时的带进气泡或者微粒粒子*

**正文** BCD工艺，全称Bi-CMOS DMOS（双极型-互补金属氧化物半导体-双扩散金属氧化物半导体），是一种先进的集成电路制造技术，于1986年由意法半导体公司首次开发成功。BCD工艺的独特之处在于，它能在同一硅片上集成双极型晶体管、CMOS（互补金属氧化物半导体）和DMOS（双扩散金属氧化物半导体）这三种不同类型的半导体器件，从而实现高性能、高集成度以及低功耗的电路设计。 双极型晶体管因其两种载流子（电子和空穴）参与导电，拥有较高的跨导和强大的驱动能力，适用于高速、强驱动和高精度的模拟电路。而CMOS器件则以其高集成度和低功耗著称，广泛应用于数字逻辑电路。DMOS器件则专为高压大电流驱动设计，其特殊的结构使得漏端能承受高压，适合在小面积内实现高功率密度。 BCD工艺将这些器件的优势融合，实现了高性能模拟电路和高效数字逻辑的单片集成。通过这种工艺，可以设计出既包含高速模拟电路又包含复杂数字逻辑的混合信号系统级芯片（SoC），例如电源管理芯片和显示驱动芯片。 BCD工艺的兼容性是其一大特点，它克服了双极型和CMOS器件在工艺上的不匹配，确保了器件间的良好互操作性和一致性。LDMOS（轻掺杂漏区DMOS）是BCD工艺中的关键技术之一，它通过精细控制掺杂浓度和深度，提高了器件的耐压能力，适用于高压应用。 随着技术的发展，BCD工艺正朝着高压、高功率和高密度这三个主要方向分化。高压BCD工艺适用于电力电子和电源管理，如开关电源和电机控制；高功率BCD工艺则用于大电流驱动应用，如射频功率放大器；高密度BCD工艺则追求更高的集成度，满足小型化和多功能化的需求。 在市场驱动方面，电源管理和显示驱动是BCD工艺的主要应用领域。电源管理芯片在便携式设备、数据中心和电动汽车等领域的需求日益增长，而显示驱动芯片则广泛应用于各类显示屏，如智能手机、电视和显示器。尽管BCD工艺具有广阔的应用前景，但国内企业进入这一领域也面临着技术挑战和市场竞争，包括技术门槛高、研发投入大以及国际巨头的竞争压力。 BCD工艺是现代半导体技术中的一种重要工艺，它结合了多种半导体器件的优点，为设计高性能、低功耗的混合信号系统提供了可能。随着技术的不断进步和市场需求的变化，BCD工艺将持续发展，为电子设备的创新提供更强大的技术支持。

介绍了BCD (bipolar CMOS DMOS）的工艺原理、特点和发展前景。对BCD 工艺兼容性 进行了说明，着重阐述了L D M O S 的工艺原理和关键工艺设计考虑。文章结合应用，指出B C D 工艺朝着 高压、高功率、高密度三个主要方向分化发展，并对B C D 工艺的最新进展作了概述。对电源管理和显示 驱动这两大市场驱动进行了分析，并对国内企业进入该领域所面临的机会与挑战作了阐述与展望。 ### BCD工艺概述 #### 一、BCD工艺的基础概念 BCD工艺，即双极互补金属氧化物半导体（Bipolar CMOS DMOS）工艺，是一种先进的集成电路制造技术，能够在单一芯片上集成双极型晶体管（Bipolar）、互补金属氧化物半导体（CMOS）以及双扩散金属氧化物半导体（DMOS）等不同类型的半导体器件。这种集成方式不仅提高了芯片的功能性和集成度，还优化了性能，使得BCD工艺成为电源管理、显示驱动等领域的重要技术。 #### 二、BCD工艺的关键特性 ##### 1. 双极器件（Bipolar） - **特性**：双极器件利用空穴和电子两种载流子参与导电，因此具备较高的驱动能力、较高的工作频率以及较好的线性性能。 - **应用**：在需要高速处理、强驱动能力和高精度性能的模拟电路中得到广泛应用。 ##### 2. CMOS器件 - **特性**：CMOS器件具有低功耗、高集成度的特点，适用于逻辑处理和信号输入/输出驱动。 - **应用**：广泛应用于数字电路和混合信号电路中。 ##### 3. DMOS器件 - **特性**：DMOS器件可以承受高压、大电流，并且能够在较小的面积内实现高集成度。 - **应用**：主要用于模拟电路中的高压功率驱动部分。 #### 三、BCD工艺的发展前景 随着技术的进步，BCD工艺朝着高压、高功率、高密度的方向发展。这些进步不仅提升了器件的性能，还降低了成本，使得BCD工艺在电源管理和显示驱动等领域更加具有竞争力。 ##### 高压 为了满足更多应用的需求，如汽车电子、工业控制等，BCD工艺不断探索新的材料和技术，以实现更高的工作电压。 ##### 高功率 在功率转换效率方面，BCD工艺通过改进设计和制造工艺，提高了器件的功率密度，减少了能量损耗。 ##### 高密度 为了进一步减小芯片尺寸并提高集成度，BCD工艺采用了更先进的制造技术和设计方法，从而实现了更高的电路密度。 #### 四、BCD工艺的关键技术 ##### 2.1 BCD工艺的基本要求 - **兼容性**：确保双极器件、CMOS器件和DMOS器件能够在一个芯片上共存且不相互干扰。 - **设计考虑**：在设计过程中需要考虑到不同器件之间的匹配问题，以及如何优化整体电路布局来减少寄生效应的影响。 ##### 2.2 LDMOS工艺原理 LDMOS（横向扩散金属氧化物半导体）是BCD工艺中的一个重要组成部分，特别适用于高压应用。LDMOS的关键在于通过优化设计实现低电阻和高击穿电压。 - **设计考虑**：包括掺杂浓度、沟道长度和宽度、隔离区域的设计等因素。 - **工艺要点**：采用特殊的外延生长、离子注入和高温退火等工艺步骤来控制器件的各项参数。 #### 五、市场驱动分析 ##### 电源管理 随着电子设备的普及和性能要求的提高，高效稳定的电源管理成为关键。BCD工艺因其高效率和良好的热稳定性，在电源管理芯片中占据重要地位。 ##### 显示驱动 随着显示屏分辨率的不断提高，对驱动电路的要求也越来越高。BCD工艺能够提供稳定可靠的电流源，适用于各种显示技术，如LCD、OLED等。 #### 六、国内企业面临的机遇与挑战 对于国内企业来说，进入BCD工艺领域既充满机遇也面临着挑战。 ##### 机遇 - **市场需求增长**：随着5G、物联网等新兴技术的发展，对于高性能、低功耗的芯片需求将持续增加。 - **政策支持**：政府对于半导体产业的大力支持为国内企业发展提供了良好的外部环境。 ##### 挑战 - **技术壁垒**：BCD工艺涉及复杂的制造流程和技术细节，需要长时间的技术积累和研发投入。 - **市场竞争**：国际市场上已经存在多个成熟的企业，新进入者需要面对激烈的竞争压力。 BCD工艺作为一项前沿技术，在未来将继续发挥重要作用。对于希望进入这一领域的国内企业而言，不仅要把握住当前的市场机会，还需要克服技术和市场的双重挑战。

声表面波（SAW）谐振器与滤波器器件的COMSOL有限元仿真建模方法及其掩膜板绘制指导。首先，针对压电材料的选择与参数设定进行了深入探讨，强调了正确设置各向异性参数的重要性。接着，讨论了网格划分技巧，指出手动调整电极区域网格密度对于提高仿真的准确性至关重要。此外，还提供了频率扫描的具体操作步骤，并分享了关于Q值计算不收敛的问题解决办法。最后，讲解了利用Python脚本生成GDSII文件的方法来绘制掩膜板，同时提及了工艺流程设计中的关键点，如光刻胶厚度与声速匹配、溅射铝膜的晶向监控等。文中还特别提到了论文复现过程中可能遇到的隐含边界条件问题及其应对策略。 适合人群：从事声表面波器件研究的设计工程师、科研人员和技术爱好者。 使用场景及目标：①帮助研究人员掌握SAW器件的COMSOL仿真建模技能；②指导技术人员进行高效的掩膜板绘制；③提供实用的经验和技巧以优化实际制造工艺。 其他说明：本文不仅涵盖了理论知识，还包括了许多实践经验，能够有效辅助相关领域的工作者更好地理解和应用SAW器件技术。

内容概要：本文详细介绍了基于TSMC0.18um工艺的密勒补偿二级OTA运放电路设计。主要内容涵盖设计背景、参考文献、设计流程、具体电路模块（如差分对模块）、测试平台（Testbench）构建、关键参数选择（如补偿电容Cc和调零电阻Rz），以及流片前的蒙特卡洛分析。此外，还分享了许多实用经验和技巧，如偏置电路设计、AC仿真的注意事项、版图审美的重要性等。 适合人群：模拟集成电路设计领域的初学者和有一定基础的研发人员。 使用场景及目标：适用于希望深入了解运算放大器设计原理和技术细节的人群。通过学习本文，可以掌握密勒补偿二级OTA运放电路的具体设计方法，提高模拟集成电路设计的能力。 其他说明：文中提供的代码片段和实践经验有助于读者更好地理解和应用相关知识点。同时，推荐结合模集教材进行系统学习，以提升整体技术水平。

高压Trench绝缘栅双极晶体管（IGBT）是一种先进的半导体器件，广泛应用于电力电子领域，如电机驱动、变频器、电源转换等。它的主要优势在于能够承受高电压、处理大电流，并具有低饱和电压、高速开关和优良的热性能。本篇将详细解析高压Trench IGBT的结构设计、工艺设计及其制作过程。 一、结构设计 1. Trench沟槽结构：高压Trench IGBT的核心特征是其独特的Trench沟槽结构。这种结构通过在N型漂移区中刻蚀深而窄的沟槽，形成P+隔离柱，有效降低了通态电阻，提高了器件的开关速度。同时，沟槽结构增强了电场分布的均匀性，提升了器件的耐压能力。 2. 器件层次：典型的高压Trench IGBT包括N+发射极层、P基区、多晶硅栅极、N型漂移区以及顶层金属接触。N+发射极层用于收集电流，P基区提供载流子传输，多晶硅栅极控制器件的导通和截止，N型漂移区决定器件的耐压，顶层金属接触则与外部电路连接。 3. 结构优化：为了进一步提高性能，结构设计中还会考虑减小栅极氧化层厚度、优化漂移区掺杂浓度分布、改善接触电阻等，以降低损耗并提升热稳定性。 二、工艺设计 1. 沟槽刻蚀工艺：采用光刻和干法刻蚀技术，精确控制沟槽的深度和宽度，以实现理想的电场分布和低通态电阻。 2. 区域掺杂工艺：利用离子注入或扩散工艺在特定区域进行掺杂，如在漂移区和基区分别掺杂不同类型的杂质，以调整载流子类型和浓度，达到优化器件性能的目的。 3. 多晶硅栅极制备：通过化学气相沉积（CVD）在栅极区域形成多晶硅层，随后进行刻蚀形成栅极结构。栅极氧化层的生长和钝化也是关键步骤，它决定了栅极的绝缘性能。 4. 表面处理和封装：器件表面的钝化层可以保护内部结构免受环境侵蚀，提高可靠性。封装工艺则确保器件与外部电路的连接稳定，同时具备良好的散热性能。 三、制作流程 1. 基片准备：选择适合的硅片作为基底，进行初始清洗和掺杂处理。 2. 沟槽刻蚀：通过光刻胶掩模，进行干法刻蚀形成沟槽。 3. 掺杂工艺：对基区和漂移区进行离子注入或扩散掺杂。 4. 栅极制备：沉积多晶硅并进行光刻、刻蚀，形成栅极结构，接着生长和处理栅极氧化层。 5. 接触和互联：形成源极、漏极和栅极的金属接触，并进行金属互连，形成外部引脚。 6. 表面处理：进行表面钝化处理，增强器件的耐湿性和抗静电能力。 7. 封装：将裸片进行切割，然后封装成芯片，连接外部引脚，完成最终产品。 总结，高压Trench IGBT的结构设计和工艺设计是其高性能的关键。结构设计中的Trench沟槽、层次布局和优化细节，以及工艺设计中的沟槽刻蚀、掺杂、栅极制备等步骤，共同决定了器件的电气特性和可靠性。通过精心的制作流程，这些设计得以实现，最终制造出高效、可靠的高压Trench IGBT。

针对目前国内RFIC发展比较滞后的现状，设计了3款应用于GNSS接收机的基于0.5μm SiGe HBT工艺的混频器（Ⅰ、Ⅱ、Ⅲ），并采用针对混频器的优良指数FOM（figure-of-merit）对这3个混频器进行结构和综合性能比较。3款混频器的供电电压为3.3V，本振LO输入功率为-10dBm，其消耗总电流、转换增益、噪声系数、1dB增益压缩点依次为：Ⅰ）8.7mA，15dB，4.1dB，-17dBm；Ⅱ）8.4mA，10dB，4.6dB，-10dBm；Ⅲ）5.4mA，11dB，4.9dB，-10dB

基于TSMC.18工艺的低 dropout (LDO) 电路与低压差线性稳压器的设计，重点探讨了其内部带隙基准模块（Bandgap Reference）的设计细节以及温度补偿机制。文中不仅展示了具体的 Verilog-A 和 Verilog-AMS 编程实例，还提供了误差放大器优化方法、过温保护模块的实现方式，并通过 Cadence 平台进行了全面的仿真验证。此外，文章还分享了一些实用的调试技巧，如通过增加补偿电阻来提高相位裕度，确保系统稳定性和可靠性。 适合人群：从事模拟集成电路设计的专业人士，尤其是对 LDO 电路设计感兴趣的工程师和技术研究人员。 使用场景及目标：适用于需要深入了解 LDO 电路设计原理、掌握 Cadence 仿真工具使用方法的研究人员和工程师。目标是帮助读者理解 LDO 电路的关键组件和设计要点，提升实际项目中的设计能力。 其他说明：文章提供的代码片段和仿真案例有助于读者快速上手实践，同时强调了理论与实际操作相结合的重要性。