提出了一种超结（SJ）VDMOS，其沟槽栅极下方具有高k（HK）介电柱，并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度，从而降低了比导通电阻（Ron，sp），而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下，HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度，从而提高了击穿电压（BV）。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱，以进一步降低Ron，sp。 与传统的SJ VDMOS相比，R on，sp降低了42％，BV增加了15％。

意法半导体的STGAP2S单路电气隔离栅极驱动器提供26V的最大栅极驱动输出电压，准许用户选择独立的导通/关断输出或内部有源米勒钳位功能，可用于各种开关拓扑控制碳化硅（SiC）或硅MOSFET和IGBT功率晶体管。 STGAP2SCM配备一个有源米勒钳位专用引脚，为设计人员防止半桥配置晶体管意外导通提供一个简便的解决方案。在MOSFET关断状态时，该引脚可将所连MOSFET的栅电压限制在隔离接地电压，直到下一个真正的导通信号出现为止。 STGAP2SM具有独立的导通/关断输出，可配合两个外部栅极电阻来优化晶体管开关性能。 STGAP2S栅极驱动器全系标配4A轨到轨输出，即使驱动大功率逆变器，也能保证开关操作快速、高效。输入到输出传播延迟在80ns以内，在高开关频率下确保PWM控制精确，满足SiC器件的驱动要求。出色的抗dV / dt共模瞬变干扰能力，使其能够防止耗能的杂散开关操作。 这些器件内置1700V电气隔离功能，可以降低消费级或工业电机驱动器、600V或1200V变频器、DC / DC转换器、充电器、电焊机、感应炉、不间断电源（UPS）和功率因数校正（PFC）控制器的

晶闸管控制角／导通角测量仪设计，介绍可控硅的控制角和导通角的测量，更好的控制可控硅的导通时间

摘要氮化镓（ Ｇ ａＮ ） 器 件 的 出现 使 图腾柱无桥 Ｐ ＦＣ（ Ｐｏｗｅ ｒＦａｃｔｏ ｒＣｏ ｒｒｅｃ ｔ ｉｏｎ ） 变换器 能够工作 在连续导通

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桥式拓扑广泛用于直流供电电压高于晶体管的安全耐压值的离线式变换器中，针对双闭环反馈控制半桥DC-DC变换器电路，为了得到稳定的直流电压、电流输出，采用电压闭环回路和电流闭环回路的反馈放大最终实现对半桥开关PWM波信号的控制，进而影响半桥变换器的轮流导通MOS开关管的导通占空比的方法，通过闭环网络仿真实验和硬件电路功率实验，验证了双闭环反馈控制可以满足半桥电路3.6 kW功率输出的要求。

　为了克服常用升压变换器在大功率、高输入输出变比等场合应用的限制，本文研究分析了一种新的电路拓扑结构及其工作方式，并对其进行了仿真验证。

本文探讨了在DC/DC变换器中，为什么恒定导通时间控制（COT）比传统电流模式控制方式更加有效。    图 1为DC/DC变换器的传统电流模式架构图，它采用的方式是将采样电流（红色部分）与电压反馈环路中误差放大器的输出（蓝色部分）进行比较，以生成控制MOSFET的PWM脉冲。      在传统控制架构中，有两种因素会影响输出负载变化的瞬态响应性能。      因素是误差放大器。在电压反馈环路中，补偿网络的误差放大器充当了低通滤波器的作用，从而拉长了变换器对输出电压变化的响应时间。     图 1：电流模式DC/DC架构图     图 2 显示了误差放大器

根据DC-DC变换的基本原理，在断续导通模式下，依据状态空间法建立了BUCK、BOOST、BUCK/BOOST三种变换器的数学模型，并在此基础上基于PSIM（Powersim）对三种变换电路分别构建了仿真模型。利用该仿真模型不仅可以有效模拟实际的DC-DC变换电路的运行特性，而且还可以采用不同的控制算法、控制策略对该模型进行闭环控制，为分析设计DC-DC变换电路及其控制系统提供了有效的方法，同时也为实际电路的设计调试提供了新思路。仿真结果与理论分析一致，表明了建模方法的正确性。

N结正偏时导通反偏时.docx