提出了一种超结（SJ）VDMOS，其沟槽栅极下方具有高k（HK）介电柱，并通过仿真进行了研究。 HK电介质导致n柱的自适应辅助耗尽。 这不仅增加了n柱掺杂浓度，从而降低了比导通电阻（Ron，sp），而且减轻了SJ器件中的电荷不平衡问题。 在高电压阻挡状态下，HK电介质削弱了横向场并增强了垂直场强度，从而提高了击穿电压（BV）。 通过沟槽侧壁的离子注入形成了狭窄且高度掺杂的n柱，以进一步降低Ron，sp。 与传统的SJ VDMOS相比，R on，sp降低了42％，BV增加了15％。

Ni-Mn-Sn材料Co元素合金化效应，王戊，余金科，本文研究了Ni49Mn39Sn12材料经2at%Co元素合金化处理后对马氏体结构转变及磁性能的影响。结果表明，两合金在升温过程中均首先发生马氏体

Doping语句参数详解： 1. 解析分布类型参数介绍 这些参数语句定义了Atlas将如何从解析函数中生成一个掺杂分布. （1）Gaussian类型解析分布 Gaussian定义了高斯解析函数的使用来生成一个掺杂分布。 如果Gaussian被定义了，那么下面的参数必须被定义。 (i) 极性参数 N.type P.type (ii)下列分布定义之一： concentration和 junction 浓度和结深 concenration 和 charactreistic 浓度和特性 dose和characteristic 剂量和特性长度 （2）Uniform定义了使用常数作为解析函数来生成掺杂分布。掺杂会通过边界参数被定义在一个box中。这个box的默认值是整个区域。同样如果Uniform被定义了，那么N.type P.type以及浓度参数都必须定义。