人工智能-机器学习-金属咔咯的量子化学计算和光谱研究.pdf

采用椭圆偏振光谱法，在1.5～6.5eV光谱范围研究了纤锌矿结构GaN外延薄膜。通过物理模型建立和光谱拟合得到了GaN外延薄膜的厚度和光学常数，所得厚度值与扫描电子显微镜测量的结果相差仅为0.4%。表明所采用的模型和Cauchy吸收色散表式适用于GaN薄膜，进一步采用四相逐点拟合算法得到更全面更准确的GaN薄膜光学常数。

CdS半导体纳米晶的生长及其光谱研究.pdf

平面 NiS 和 NiS P 4 2 2 发色团的 X 射线光电子光谱研究。 [1,4-双(二苯基膦基-k,P,P')丁烷](哌啶碳二硫代-S,S')-高氯酸镍(II)的单晶X射线结构研究 R. Thiruneelakandana, K. Ramalingama,*, A. Manohara、G. Bocellib 和 Lara Righib a Annamalainagar/印度，化学系，Annamalai 大学 b 帕尔马/意大利，CentrodiStudioperlaStrutturistica，DiffractometricadelCNR 接收，2001 年 7 月 6 日。 抽象的。 对该类似物进行了 X 射线光电子能谱研究。该观察结果与溶液研究中的循环配合物 Ni(nmedtc) (1)、[Ni(nmedtc)(PPh ) ]ClO (2)、[Ni-伏安法一致。 观察到 2 32 4 (nmedtc)(dppe)]BPh (3) 的单电子还原电位（其中 nmedtc (cid:53) N-甲基，N-乙醇二- 与其他化合物相比，NiS P 生色团的最小值。4 2 2

白光OLED光谱特性研究，大家一起来学习

碱性水溶液中AMPPD化学发光的真实发射体的光谱研究

用光波导光模光谱研究种子介导的银纳米粒子生长的动态过程

利用太赫兹(THz)时域光谱技术对两种重要的半导体材料n型硅(n-Si)样品和p型硅(p-Si)样品进行了研究。通过测量自由空间的参考信号和透过样品的THz信号, 经过快速傅里叶变换等一系列数据处理, 获得了它们在0.5～2.0 THz频率范围内的光学参数。结果表明, 在该频率范围内两种样品的折射率和相对介电常数实部基本不随频率变化, 而p-Si样品的消光系数和相对介电常数虚部随频率增大而下降的幅度明显大于n-Si样品。此外, 通过计算获得了两种材料的复电导率和介电损耗, 发现n-Si样品和p-Si样品两者在THz波段都具有良好的介电特性, 适合作为半导体基片材料在THz波段工作。