0 引言
随着芯片集成度的不断提高,Cu已经取代A1成为超大规模集成电路互连中的主流互连材料。在目前的芯片制造中,芯片的布线和互连几乎全部是采用直流电镀的方法获得Cu镀层。在直流电镀中,由于金属离子趋近阴极不断被沉积,因而不可避免地造成浓差极化。而脉冲电镀在电流导通时,接近阴极的金属离子被充分地沉积;当电流关断时,阴极周围的放电离子又重新恢复到初始浓度。脉冲电镀的主要优点有:降低浓差极化,提高了阴极电流密度和电镀效率;改善镀层物理性能;所得镀层具有较好的防护性;能获得致密的低电阻率金属沉积层。
脉冲电镀理论20世纪初就已被提出。近几年来,国外陆续发表了一些关于脉冲电镀在集成电路Cu
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