模拟IC进阶课程学习笔记

上传者: 42221495 | 上传时间: 2024-06-20 10:09:37 | 文件大小: 11.8MB | 文件类型: DOCX
在模拟集成电路设计中,CMOS技术是最常见的制造工艺,它被广泛用于制造各种模拟芯片,包括电压基准源,也就是我们所说的Bandgap参考电压源。Bandgap设计的目标是提供一个稳定且具有高精度的电压基准,这在许多模拟电路中至关重要。理想的Bandgap设计应该满足以下几个关键指标: 1. 绝对精度:设计要求Bandgap参考电压具有一定的绝对精度,比如3%或5%,这意味着在整个工作温度范围内,输出电压的偏差应控制在这个范围内。 2. 温漂系数:温漂系数是衡量电压基准随温度变化的程度,一般希望这个系数尽可能小,如20ppm/℃(百万分之二十每摄氏度)。这意味着温度每上升100℃,电压的变化不超过0.2%。 3. 电源电压范围:设计应适应较宽的电源电压变化,以保证在不同电源条件下都能提供稳定的参考电压。 4. 静态工作电流:为了节能和提高效率,静态工作电流应尽可能小,这意味着芯片在待机状态下的功耗较低。 5. PSRR(电源抑制比):PSRR是衡量电源噪声对输出电压稳定性影响的一个指标,理想情况下,PSRR越高,输出电压受电源噪声的影响就越小。 6. 输出分布范围和噪声:输出电压的分布范围应尽量小,以确保输出一致性;同时,应减少包括Flicker噪声在内的各种噪声,提高电路的稳定性。 7. 启动电路:快速且可靠的启动电路设计能确保电路在开启时迅速达到稳定状态,避免振荡或不稳定现象。 在实际的Bandgap设计过程中,会通过电路仿真来优化各个参数。例如,通过改变电阻值(R1和R4)来调整温度系数,当它们的值减小时,可能会导致正温度系数,而增大时可能降低温度系数。另外,为了改善频率响应,可以引入iprobe器件来分析正反馈和负反馈环路,并通过调整米勒电容和晶体管长度来调整相位裕度和增益。 在低频增益方面,晶体管尺寸的变化对增益的影响可能并不显著,但会影响带宽和相位裕度。例如,增加PMOS晶体管长度可以保持低频增益基本不变,但可能会降低带宽并改变相位裕度。 在噪声分析中,1/f噪声(也称为闪烁噪声)主要来源于晶体管,尤其是M32和M13这样的大晶体管。通过增加晶体管长度,可以有效地减少这种噪声。然而,对于输入晶体管,由于其沟道长度较小,其1/f噪声贡献相对较小,可以通过进一步缩短沟道长度来进一步降低噪声。 总之,模拟IC进阶课程的学习涵盖了Bandgap参考电压源的设计原则、性能指标和优化方法,包括电路仿真、参数调整以及噪声管理等多个方面,这些都是模拟集成电路设计中的核心技能。通过深入理解和实践这些知识,工程师能够设计出更加高效、精准和可靠的模拟电路。

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