“靠背椅”击穿-电子元器件可靠性系统工程

上传者: 42200791 | 上传时间: 2021-06-08 15:33:27 | 文件大小: 3.16MB | 文件类型: PPT
(2)“靠背椅”击穿 当PN结加反电压时,在低压下场感应 被击穿。当IR上升到比正常值大得多的 饱和值,由于反向击穿曲线如靠背椅, 故称这种击穿称为“靠背椅”击穿。 如图14。 “靠背椅”击穿产生的原因: a:表面杂质沾污或氧化层污染,形成表面沟道所致。 b:外延层杂质补偿太大,热氧化时,由于二氧化硅有吸硼排磷作用,会使硅-二氧化硅界面P区表面硼减少而磷增多,使P区反型成N区,造成永久性沟道。也是造成“靠背椅”击穿的主要原因。 1为饱和沟道特性 2为非饱和沟道特性 图14 “靠背椅”击穿特性曲线

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