NMOS工艺-4-集成电路器件工艺

上传者: 42197841 | 上传时间: 2021-05-18 19:44:03 | 文件大小: 2.39MB | 文件类型: PPT
4.3.2 NMOS工艺 由于电子的迁移率e大于空穴的迁移率h,即有e2.5h, 因而,N沟道FET的速度将比P沟道FET快2.5倍。那么,为什么MOS发展早期不用NMOS工艺做集成电路呢?问题是NMOS工艺遇到了难关。所以, 直到1972年突破了那些难关以后, MOS工艺才进入了NMOS时代。 *

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