1 +1维p波超导体的全息纠缠熵
我们在整个相变的1 +1维p波超导体的完全反向反应全息模型中研究了子系统A的纠缠熵S A EE的行为。 对于给定的温度，系统进入超导阶段，超过电荷密度的临界值。 纠缠熵被视为给定温度下电荷密度的函数，在临界点处出现尖峰。 此外，我们发现，在浓缩阶段，取决于子系统的大小，存在三种不同的行为。 对于小于临界尺寸l c 1的子系统尺寸l，随着我们越过相变，S A EE继续作为电荷密度的函数而增加。 当l在l c 1和另一个临界大小l c 2之间时，纠缠熵显示出非单调行为，而当l> l c 2时，纠缠熵单调减小。 在大电荷密度下，S A EE似乎饱和。 非单调行为导致了该系统的新颖相图。
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