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重离子在二氧化硅和氮化硅中的辐射损伤模拟研究
重离子在二氧化硅和氮化硅中的辐射损伤模拟研究
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38681646
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上传时间: 2022-11-05 18:54:37
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文件大小: 1.39MB
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文件类型: PDF
首发论文
重离子在二氧化硅和氮化硅中的辐射损伤模拟研究,李涛,臧航,氧化硅与氮化硅在半导体器件中有着广泛的应用,研究重离子在其中的辐射损伤规律,有利于揭示新的单粒子效应机理,为器件的抗辐射加�
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