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上传时间: 2024-07-03 13:11:55
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计算了光子发射(初始状态辐射)在希格斯玻色子的直接生产过程的横截面中对未来高发光度电子和μ子对撞机的影响。 已经发现,对于电子对撞机,希格斯玻色子共振峰的顶部的横截面减小了0.348倍,对于μ子对撞机减小了0.548倍。 4.2 MeV(等于希格斯宽度)的质心能量的质心能量散布将使电子和μ子束的峰截面进一步减小0.170和0.256(QED和能量散布) 分别。 讨论了恢复QED计算中可能存在的不确定性。 提供了包括QED在内的线形横截面的数值结果以及许多质心能量散布值。