GaAs GaAlAs 量子阱：GaAs-GaAlAs 量子阱。 电子、重空穴和轻空穴能级与 Lz。 特征函数。-matlab开发

GaAs-GaAlAs 量子阱 在 I 型量子阱中，势垒的较大带隙和阱材料的较小带隙之间的能量差 ΔEg 对导带中的电子和价带中的空穴产生限制电位。 例如，在 GaAs-GaAlAs 量子阱中，所得阱深度分别为 ΔVe~2ΔEg/3 和 ΔVh~ΔEg/3。 在这些半导体中，导带中的电子表现得好像它们有一个有效质量 m*，这与自由电子质量 mo 不同，并且该质量在两种材料中是不同的，例如，阱中的 mw 和mb 在屏障中。 由于两种材料的电子有效质量不同，在两种材料的界面处用于波函数导数的边界条件不是导数 dψ / dz 的连续性； 相反，一个常见的选择是 (1/m*)(dψ / dz) 的连续性，其中 m* 对于井中和屏障中的材料是不同的。 此m文件（GaAs_GaAlAs_QW.m）绘制了给定GaAs-GaAlAs量子阱的Al组成（x）和阱宽度Lz（Å）的电子，重空穴和轻空穴的本征函