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上传时间: 2022-03-24 14:29:00
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鉴于传统共源共栅低噪声放大器由于受共栅级的影响,其噪声和线性度都不理想,为此在共栅级上引入一对交叉耦合电容和电感,以消除共栅级的噪声并提高放大器的线性度.采用特许半导体公司0.25μm射频互补金属氧化物半导体工艺进行了设计,仿真结果表明低噪声放大器在2.4 GHz处的噪声系数仅有1.34 dB,该电路能够提供17.27 dB的正向增益、小于―38.37 dB的反向传输系数、小于―27.73 dB的输入反射系数、小于―15.85 dB的输出反射系数,该放大器的三阶交调点为0.58 dBm,消耗的功率为11.