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Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
上传者:
38589774
|
上传时间: 2021-02-07 16:04:01
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文件大小: 1.92MB
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文件类型: PDF
研究论文
Basal plane bending of 4H-SiC single crystals grown by sublimation method with different seed attachment methods
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