基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！

基础电子中的三极管饱和及深度饱和状态的理解和判断！基础电子

三极管饱和问题总结：
　　1.在实际工作中，常用Ib*β=V/R作为判断临界饱和的条件。根据Ib*β=V/R算出的Ib值，只是使晶体管进入了初始饱和状态，实际上应该取该值的数倍以上，才能达到真正的饱和；倍数越大，饱和程度就越深。
　　2.集电极电阻越大越容易饱和。
　　3.饱和区的现象就是：二个PN结均正偏，IC不受IB之控制。
　　问题：基极电流达到多少时三极管饱和？
　　解答：这个值应该是不固定的，它和集电极负载、β值有关，估算是这样的：假定负载电阻是1K,VCC是5V,饱和时电阻通过电流最大也就是5mA,用除以该管子的β值（假定β=100）5/100=0.05mA=50μA,

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