Raspberry Pi 3树莓派内存芯片资料

### Raspberry Pi 3 内存芯片资料：EDB8132B4PB-8D-F #### 一、概述 本文将详细介绍应用于Raspberry Pi 3B的内存芯片——EDB8132B4PB-8D-F的相关规格与特性。这款内存芯片为嵌入式低功耗双倍数据速率2（Embedded Low Power Double Data Rate 2, LPDDR2）SDRAM，由美光科技生产。该芯片具有多种特性，旨在满足高性能计算设备对于内存性能及能效的需求。 #### 二、主要特性 1. **超低电压供电**：支持极低的核心与I/O电源供应，有助于降低整体功耗。 2. **频率范围**：工作频率可达400MHz，数据传输速率为800Mb/s/pin，适用于高速数据处理场景。 3. **4n Prefetch DDR架构**：采用先进的4n预取技术，提高数据吞吐量的同时保持较低的功耗。 4. **8个内部存储库**：提供并发操作能力，有效提升数据访问速度。 5. **命令/地址输入复用**：通过命令时钟(CK_t/CK_c)的每个上升沿和下降沿接收命令，实现双倍数据率传输。 6. **双向/差分数据选通信号**：每字节数据配备一个双向差分数据选通信号(DQS_t/DQS_c)，以确保数据传输的准确性。 7. **可编程读/写延迟**：通过编程设置读写延迟时间(RL/WL)，优化数据传输效率。 8. **突发长度控制**：支持4、8和16位的突发长度控制，灵活适应不同的数据传输需求。 9. **按库刷新功能**：每个存储库独立刷新，允许在刷新过程中执行其他操作，提高并发性。 10. **自动温度补偿自刷新**：内置温度传感器自动调节刷新周期，确保数据完整性不受温度变化的影响。 11. **部分阵列自刷新**：在低活动状态时节省电力消耗。 12. **深度省电模式**：进一步降低功耗，延长电池续航能力。 13. **可选择输出驱动强度**：根据系统需求调整输出电流，优化信号质量。 14. **时钟停止能力**：允许在不使用时关闭时钟信号，减少不必要的功耗。 15. **无铅包装**：符合RoHS标准，环保且不含卤素。 #### 三、选项配置 - **密度/片选**：8Gb/2-CS 双晶片配置。 - **组织方式**：x32，即32位数据宽度。 - **供电电压**：VDD1 = 1.8V，VDD2 = VDDQ = 1.2V。 - **修订版**：版本4。 - **封装类型**：12mm x 12mm FBGA绿色封装，168球，最大高度0.8mm。 - **时序参数**：循环时间2.5ns，读取延迟RL=6。 - **工作温度范围**：从-30°C到+85°C。 #### 四、关键时序参数 - **速度等级**：8D。 - **时钟频率**：400MHz。 - **数据传输率**：800Mb/s/pin。 - **读取延迟**：RL=6。 - **写入延迟**：WL=3。 #### 五、配置寻址 - **架构**：256Mega x 32。 - **单个封装的密度**：8Gb。 - **每封装中的晶片数**：2。 - **每通道的排数**：1。 - **每排中的晶片数**：2。 - **配置**：32Mega x 16 x 8 banks x 2。 - **行地址**：16K A[13:0]。 - **列地址**：2K A[10:0]。 #### 六、部件编号描述 - **部件编号**：EDB8132B4PB-8D-F-R / EDB8132B4PB-8D-F-D。 - **总密度**：8Gb。 - **配置**：256Meg x 32。 - **排数**：1。 - **通道数**：1。 - **封装尺寸**：12mm x 12mm (最大高度0.80mm)。 - **球间距**：0.50mm。 #### 七、总结 EDB8132B4PB-8D-F作为一款应用于Raspberry Pi 3B的内存芯片，其出色的性能和能效表现使其成为理想的选择。通过采用先进的技术与设计，如4n Prefetch DDR架构、双向/差分数据选通信号以及多种省电模式等，确保了在满足高性能需求的同时，也能够有效地控制功耗。这对于移动设备或依赖电池供电的应用来说尤为重要。此外，其广泛的配置选项也为不同应用场景提供了灵活性，使其能够适应多样化的硬件环境。