DDR3控制器的设计与验证

伴 随 着 摩 尔 定 律 ， 现 今 各 种 微 处 理 器 内 部 的 工 作 频 率 不 断 上 升 ， 存 储 器 有 限的 存 取 速 度 和 外 部 接 口 的 控 制 电 路 的 低 性 能 直 接 影 响 了 系 统 性 能 的 提 升 。 D D R 3 S D R A M 作 为 新 一 代 存 储 器 ， 有 着 工 作 电 压 低 ， 功 耗 小 ， 速 度 快 和 容 量 大 等 特 点 ，但 是 也 存 在 一 些 局 限 性 。 DD R 3 S D R A M 的 各 种 读 写 操 作 必 须 要 满 足 特 定 的 时 序参 数 ， 才 能 保 证 内 存 正 常 工 作 。 DD R 3 S D R A M 控 制 器 采 用 简 单 的 用 户 接 口 ， 内部 实 现 各 种 复 杂 的 DD R 3 的 读 写 操 作 要 求 。