STM32存储设备磨损均衡算法与数据结构

上传者: 53828053 | 上传时间: 2024-10-06 17:08:08 | 文件大小: 4KB | 文件类型: ZIP
STM32内部Flash的写寿命大约是1万次,假如我们在其Flash中存储数据,每天100次写操作,100天后Flash就无法继续可靠使用了;外部FLASH,比如说W25Q32,擦写次数也只有十万次,在高频率读写下也支撑不了多久, 本文采取了一种非常简单的方法,将Flash的使用寿命无限延长,取决于你为它分配的存储区大小。 主要思想就是将FLASH 分配一块区域给我们的管理机,然后用索引的方式累积写FLASH,中途不进行擦写,在存满整个分区时进行统一擦写,读取根据ID进行读取,并且加上了数据校验,异常回调。主要用于存储系统配置,运行记录等。支持多个存储管理机管理不同的区域.

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