Arm9芯片手册中文版
特性
• 融合了ARM920T™ ARM® Thumb® 处理器
– 工作于180 MHz时性能高达200 MIPS，存储器管理单元
– 16-K 字节的数据缓存，16-K字节的指令缓存，写缓冲器
– 含有调试信道的内部仿真器
– 中等规模的嵌入式宏单元结构( 仅针对256 BGA 封装)
• 低功耗：VDDCORE电流为30.4 mA 待机模式电流为3.1 mA
• 附加的嵌入式存储器
– SRAM为16K ；ROM为128K
• 外部总线接口(EBI)
– 支持SDRAM，静态存储器， Burst Flash，无缝连接的CompactFlash®，
SmartMedia™及NAND Flash
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