JESD79F规范

### JESD79F规范概述 JESD79F规范主要定义了DDR SDRAM（Double Data Rate Synchronous Dynamic Random Access Memory）的技术标准与特性，适用于多种内存配置，包括但不限于16MX4、8MX8、4MX16、32MX4等规格，并覆盖了从64MB到1GB的存储容量范围。该规范是了解和设计基于DDR SDRAM产品的关键文档之一。 ### 特性详解 #### 双数据率架构 - **双数据传输**：DDR SDRAM通过双数据率架构实现了每个时钟周期两次的数据传输，这极大地提高了数据传输效率。与传统SDRAM相比，这种设计显著提升了带宽利用率。 #### 数据选通信号（Data Strobe, DQS） - **双向传输**：DQS信号在读取操作时由DDR SDRAM芯片发送，在写入操作时则由外部控制器发送。这一特性使得接收端能够准确地对齐数据，确保数据的正确捕获。 - **边缘对齐**：在读取模式下，DQS信号的上升沿和下降沿与数据信号同步，而在写入模式下，DQS信号位于数据信号的中心位置，这种设计有助于提高信号完整性，减少数据错误。 #### 差分时钟输入 - **差分时钟信号（CK 和 CK#）**：采用差分时钟输入的设计可以有效减少时钟信号传输过程中的噪声干扰，从而提升系统的稳定性和可靠性。 #### 数据和时钟的动态对准 - **动态对准逻辑（DLL）**：为了确保数据信号与时钟信号之间的精确对准，DDR SDRAM内部采用了动态对准逻辑（DLL）。通过DLL，设备能够自动调整DQ和DQS信号的边沿，使其与CK信号的边沿对齐，进一步增强了信号质量。 #### 命令处理 - **命令同步**：所有命令都必须在时钟信号CK的正沿处被接受，这为DDR SDRAM的操作提供了一个清晰的时间基准。 - **数据和数据掩码（DM）**：数据和数据掩码（DM）的参考点为DQS信号的两个边沿，这种设计可以有效地控制写入操作中的数据流，避免不必要的数据写入，节省功耗并减少错误。 #### 内存库设计 - **四银行设计**：DDR SDRAM内部集成了四个独立的内存库，允许同时进行不同的操作，如读取和写入操作可以在不同银行之间并发执行，显著提高了整体性能。 #### 数据掩码 - **数据掩码功能**：提供了数据掩码（DM）功能，用于控制写入数据的哪些位应该被更新。这有助于减少不必要的写入操作，提高内存操作的效率和耐用性。 #### 爆发长度 - **爆发长度设置**：支持多种爆发长度设置，包括2、4或8个连续的数据单位。爆发长度的选择可以根据具体的应用场景来确定，以达到最优性能。 #### CAS延迟 - **CAS延迟选项**：提供了2或2.5的CAS延迟选项，DDR400还支持CAS延迟为3的设置。CAS延迟是指从CAS（列地址寄存器使能）信号发出到数据有效的时间间隔，它直接影响内存访问的速度。 #### 自动预充电 - **自动预充电功能**：提供了自动预充电（AUTOPRECHARGE）选项，使得每次突发访问之后都能自动执行预充电操作，从而简化了内存控制器的设计。 #### 自刷新模式 - **自刷新和自动刷新模式**：支持自刷新（Self Refresh）和自动刷新（Auto Refresh）两种模式，这两种模式能够降低功耗，同时保持数据的有效性。 ### 电源电压 - **I/O电压**：DDR SDRAM的I/O电压为2.5V（兼容SSTL_2），对于DDR200、266或333规格，VDDQ电压为+2.5V±0.2V；对于DDR400，则为+2.6±0.1V。 - **核心电压**：VDD电压对于DDR200、266或333规格为+3.3V±0.3V或+2.5V±0.2V；对于DDR400则为+2.6±0.1V。这些电源电压的设定考虑到了不同速度等级DDR SDRAM的功耗和稳定性需求。 ### 总体描述 DDR SDRAM是一种高速CMOS动态随机存取内存，内部配置为四银行DRAM结构。根据存储容量的不同，DDR SDRAM可以包含64Mb、128Mb、256Mb、512Mb以及1Gb等多种存储容量。通过采用双数据率架构，DDR SDRAM能够在每个时钟周期内完成两次数据传输，大大提高了数据传输速率。单次读取或写入访问对于DDR SDRAM而言，实质上是由单个2n位宽、一个时钟周期的数据传输组成，而相应的I/O引脚上则是两次n位宽、半个时钟周期的数据传输。此外，DDR SDRAM还采用了双向数据选通信号（DQS）来辅助数据捕捉，确保数据传输的准确性和高效性。