半导体与半金属:外延微结构研究进展

上传者: dd012 | 上传时间: 2026-01-06 19:47:03 | 文件大小: 16.35MB | 文件类型: PDF
本书《半导体与半金属:外延微结构》深入探讨了半导体材料中外延微结构的研究进展。书中详细介绍了外延生长技术,包括分子束外延(MBE)、金属有机化学气相沉积(MOCVD)等,及其在制造高质量量子阱和超晶格器件中的应用。同时,本书还讨论了量子限制效应在化合物半导体量子阱和超晶格中的表现,以及这些效应如何促进了新型量子器件的发展。此外,书中还涵盖了调制掺杂技术在二维电子气(2DEG)中的应用,以及由此带来的诸如分数量子霍尔效应等重大发现。本书不仅适合从事半导体材料和器件研究的专业人士,也适合对相关领域感兴趣的研究生和研究人员。

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