MT25QU02GCBB.pdf

美光MT25QU02GCBB是一款2Gb容量的Serial NOR Flash存储芯片，工作电压范围为1.7V至2.0V，支持多种输入输出功能，具备64KB扇区擦除特性。这款芯片采用24脚T-PBGA05封装，尺寸为6mm x 8mm，并符合RoHS标准。产品支持标准温度范围为-40°C至+85°C，而特别版本则支持-40°C至+105°C。芯片的标记为U02GC B B8E 120S AIT AT。 MT25QU02GCBB的特性包含堆叠设备设计，可以将四个512Mb的芯片堆叠在一起。它提供SPI兼容的串行总线接口，支持单次和双倍传输速率（STR/DTR），允许在不同的协议下工作。在STR模式下，最大时钟频率为166MHz，而在DTR模式下，最大时钟频率为90MHz。该芯片还支持通过双I/O和四I/O命令提高吞吐量，达到80MB/s，支持的协议包括扩展I/O协议、双I/O协议和四I/O协议。 此外，MT25QU02GCBB具备原地执行（Execute-in-place，XIP）功能，允许代码直接在Flash上执行，而无需先复制到RAM中。该芯片支持程序/擦除暂停（PROGRAM/ERASE SUSPEND）操作，允许在擦除或编程过程中暂时中断操作。它还提供了易失性和非易失性的配置设置，软件复位功能以及附加的复位引脚。 为了提升数据安全性，MT25QU02GCBB提供三字节和四字节地址模式，支持超过128Mb内存访问。芯片还包含一个专用的64字节一次性可编程（OTP）区域，这个区域是可读的并且用户可以锁定，也可以用PROGRAM OTP命令进行永久锁定。芯片的擦除能力包括晶片擦除、64KB扇区擦除以及4KB、32KB子扇区擦除。 在安全和写保护方面，MT25QU02GCBB为每个64KB扇区提供易失性和非易失性的锁定以及软件写保护，支持非易失性配置锁定。它还包含密码保护和硬件写保护，通过非易失性位（BP[3:0]和TB）定义保护区域大小。芯片在上电期间提供程序/擦除保护，并用循环冗余校验（CRC）来检测数据的意外变化。 芯片符合JESD47H标准，每个扇区的擦除循环次数最少为100,000次，数据保持时间为20年（典型值）。 在产品和规格的讨论中，美光公司保留修改产品的权利而无需事先通知。因此，本手册中讨论的产品和规格可能会在未经通知的情况下发生变化。 MT25QU02GCBB芯片的电子签名遵循JEDEC标准的三字节签名（BB22h），并且具有两个额外的字节来识别设备的工厂选项。