完整英文版 IEC 60747-14-3：2009 Semiconductor devices - Part 14-3：Semiconductor sensors - Pressure sensors（半导体器件 - 第14-3部分：半导体传感器 - 压力传感器 ）。IEC 60747-14-3:2009规定了测量绝对压力、表压或差压的半导体压力传感器的要求。与前一版本相比，主要的技术变化是增加了一个新的子条款5.9（线性度的测量方法）。

完整英文版 IEC 60747-14-4：2011 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 14-4：Semiconductor accelerometers（半导体器件-分立器件-第14-4部分：半导体加速度计）。IEC 60747-14-4:2011适用于所有类型产品的半导体加速度计。该标准不仅适用于内置电路的典型半导体加速度计，也适用于伴有外部电路的半导体加速度计。

完整英文版 IEC 60747-14-5：2010 Semiconductor devices - Part 14-5：Semiconductor sensors - PN-junction semiconductor temperature sensor（半导体器件 - 第14-5部分：半导体传感器 - PN结半导体温度传感器）。IEC 60747-14-5:2010适用于半导体PN结温度传感器，定义了术语、定义、符号、基本额定值、特性和测试方法，可用于确定半导体类型PN结温度传感器的特性。

完整英文版 IEC 60747-14-10：2019 Semiconductor devices - Part 14-10：Semiconductor sensors - Performance evaluation methods for wearable glucose sensors（半导体器件 - 第14-10部分：半导体传感器 - 可穿戴式葡萄糖传感器的性能评估方法）。IEC 60747-14-10:2019规定了用于确定实际使用的可穿戴式电化学-葡萄糖传感器的性能特征的术语、定义、符号、测试和性能评价方法。本文件适用于所有消费者和制造商的可穿戴式电化学-葡萄糖传感器，对设备技术和尺寸没有任何限制。

完整英文版 IEC 60747-14-11：2021 Semiconductor devices - Part 14-11：Semiconductor sensors - Test method of surface acoustic wave-based integrated sensors for measuring ultraviolet, illumination and temperature（半导体器件 - 第14-11部分：半导体传感器 - 用于测量紫外线、照明和温度的基于表面声波的集成传感器的测试方法）。IEC 60747-14-11:2021(E)定义了术语、定义、配置和测试方法可用于评估和确定基于表面声波的半导体传感器与紫外线、照度和温度传感器集成的性能特征。测量方法为直流特性和射频特性，射频特性的测量方法包括直接模式和基于反馈振荡的差动放大器模式。本文件不包括TC 49处理的设备：用于频率控制、选择和检测的压电、介电和静电设备及相关材料。

完整英文版 IEC 60747-15：2010 Semiconductor devices - Discrete devices - Part 15：Isolated power semiconductor devices（半导体器件 - 分立器件 - 第15部分：隔离式功率半导体器件）。IEC 60747-15:2010给出了对隔离式功率半导体器件的要求，不包括带有控制电路的器件。这些要求是IEC 60747其他部分对相应的非隔离式功率器件的补充。

完整英文版 IEC 60747-16-1：2017 Semiconductor devices - Part 16-1：Microwave integrated circuits -Amplifiers（ 半导体器件 - 第16-1部分：微波集成电路 - 放大器）。IEC 60747-16-1:2001+A1:2007+A2:2017规定了集成电路微波功率放大器的术语、基本额定值和特性，以及测量方法。

完整英文版 IEC 60747-16-2：2008 Semiconductor devices - Part 16-2：Microwave integrated circuits - Frequency prescalers（半导体器件 - 第16-2部分：微波集成电路 - 频率预调器）。提供了新的测量方法、术语和字母符号，以及集成电路微波频率预分频器的基本额定值和特性。

完整英文版 IEC 60747-16-3：2017 Semiconductor devices - Part 16-3：Microwave integrated circuits - Frequency converters （半导体器件 - 第16-3部分：微波集成电路 - 频率转换器 ）。IEC 60747-16-3:2002+A1:2009+A2:2017(E)规定了新的测量方法、术语和字母符号，以及集成电路微波频率转换器的基本评级和特性。

完整英文版 IEC 60747-16-4：2017 Semiconductor devices - Part 16-4：Microwave integrated circuits - Switches(半导体器件 - 第16-4部分：微波集成电路 - 开关)。IEC 60747-16-4:2004+A1:2009+A2:2017规定了新的测量方法、术语和字母符号，以及集成电路微波开关的基本等级和特性。开关的射频端口有很多组合，如SPST（单极单掷）、SPDT（单极双掷）、SP3T（单极三掷）、DPDT（双极双掷）等。本标准中的开关是基于SPDT的。但是，本标准也适用于其他类型的开关。