CMOS射频功率放大器,基于0.18um的库文件,需要的可以看下,个人认为比较有用
2022-11-17 17:30:31 13.78MB CMOS
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CCD_CMOS图像传感器基础与应用.ppt
2022-11-16 09:20:12 2.48MB CCD CMOS 图像传感器 ppt
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二、根据匹配原理比较器的版图设计 上图是一个常见的比较器,还是像前面的电路一样先将电路分析并分块。该电路中,M1,M2是核心部分,我们先画它,再根据核心部分的方向和大小来调整剩下模块,最后拼接所有部分。在这里需要注意两点: 1)这两个管子的gate端即电路的输入端,它们的连线也需要match。这和管子的match不一样,它们match的是周围的环境,应为寄生参数一致性。怎么做呢,就是把两个输入连接线尽量的并行走线,并且保持走线长度相等。 2)电路的输入端和输出端,不可以并行和交叉。因为并行产生的寄生会使输入和输出形成反馈,这样会影响电路的性能。 下图为匹配后的比较器版图:
2022-11-14 21:12:17 1.98MB CMOS版图设计
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在此传感器上,大约一半的金属屏蔽像素(称为屏蔽像素)嵌入了普通像素。 屏蔽像素有两种类型,右半屏蔽像素和左半屏蔽像素分别称为右屏蔽像素和左屏蔽像素。 屏蔽像素位于有效像素区域的内部(块占用率99%)。 在一个填充16 x 32像素的块中,离散地嵌入了8个右屏蔽像素和8个左屏蔽像素
2022-11-14 18:04:55 1.67MB imx378 cmos sony
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先容一种超高速,宽分频范围的四分频器的设计。后仿真结果表明该四分频器的最高工作频率为37 GHz,当输进信号的幅度为300 mV时,分频范围为27 GHz。在电源电压为1.2 V,工作在37 GHz时,该电路的功耗小于30 mW。该四分频器可应用于光纤通讯和其他超高速电路。
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主要是讲解在CMOS数字集成电路设计中,如何对IO进行设计;
2022-11-09 21:33:15 443KB CMOS集成电路设计 IO设计
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设计了一种基于0.25 μm CMOS工艺的低功耗片内全集成型LDO线性稳压电路。电路采用由电阻电容反馈网络在LDO输出端引入零点,补偿误差放大器输出极点的方法,避免了为补偿LDO输出极点,而需要大电容或复杂补偿电路的要求。该方法电路结构简单,芯片占用面积小,无需片外电容。Spectre仿真结果表明:工作电压为2.5 V,电路在较宽的频率范围内,电源抑制比约为78 dB,负戢电流由1 mA到满载100 mA变化时,相位裕度大于40°,LDO和带隙电压源的总静态电流为390μA。
2022-11-06 14:21:48 235KB 开关|稳压
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给出基于0.13μm CMOS工艺、采用单时钟动态负载锁存器设计的四分频器。该四分频器由两级二分频器级联而成,级间采用缓冲电路实现隔离和电平匹配。后仿真结果表明其最高工作频率达37GHz,分频范围为27GHz。当电源电压为1.2V、工作频率为37GHz时,其功耗小于30mW,芯片面积为0.33×0.28 mm2 。
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电工基础
2022-10-30 19:06:49 804KB 电工基础