高功率密度碳化硅MOSFET软开关三相逆变器损耗分析pdf,相比硅 IGBT，碳化硅 MOSFET 拥有更快的开关速度和更低的开关损耗。 碳化硅 MOSFET 应用于高开关频率场合时其开关损耗随着开关频率的增加亦快速增长。 为进一步提升碳化硅 MOSFET 逆变器的功率密度，探讨了采用软开关技术的碳化硅 MOSFET 逆变器。 比较了不同开关频率下的零电压开关三相逆变器及硬开关三相逆变器的损耗分布和关键无源元件的体积， 讨论了逆变器效率和关键无源元件体积与开关频率之间的关系。 随着开关频率从数十 kHz 逐渐提升至数百 kHz，软开关逆变器不仅能够维持较高的转换效

理解全桥LLC的原理很好的一篇论文，哈工大的论文，论文不需多，精就可以。

通过改变开关频率，使谐振网络中电流滞后于电压，即谐振网络呈感性，使得开关管在开通前，其电压已下降到零，从而实现ZVS。

本科期间压箱底的学习资料，非常经典，电力电子器件、整流电路、逆变电路、直流直流变流电路、交流交流变流电路、PWM控制技术、软开关技术等，现在分享给童鞋们，好吃不贵：）

为减小工CPT变换器开关损耗以及简化软开关控制电路,引入推挽变压器,通过在变压器输出接发射线圈和补偿电容,使发射线圈与补偿电容构成的谐振网络呈感性来实现零电压开通,开关管漏源极两端并联电容实现零电压关断,从而不需要增加电压过零检测电路和相应的控制电路即可实现软开关。对软开关的工作原理进行了分析,给出了零电压的工作条件以及推挽变压器匝数的边界条件,仿真及实验结果表明该变换器可工作在软开关条件下,具有驱动简单、传输效率高的特点。

在嵌入式应用中，需要用到电池侦测电路，以及轻触开关来开通电源，本资源的原理图可以参考。

脉宽调制DC_DC全桥变换器的软开关技术 阮新波 严仰光著 1999年版

针对模块电源的发展趋势和有源钳位电路的工作原理，研究了一种采用磁放大技术和固定伏特秒控制技术的有源钳位正激软开关电路，并对该电路的工作过程进行了详细的理论分析。在此基础上，设计了一款25 W的电源样机。经过测试，验证了该理论分析的正确性，在整个负载范围内完全实现了主开关管和钳位开关管的软开关变换，软开关实现的条件不依赖于变压器的参数。在采用肖特基二极管整流的情况下，满载输出的转换效率在89%以上。

软开关无桥Boost-PFC电路的分析和设计pdf,提出了一种新颖的软开关无桥Ｂｏｏｓｔ－ＰＦＣ电路，它可省去传统功率因数校正（ＰＦＣ）电路中的整流桥，导通器件少，并因引入了无损谐振网络，开关管实现了软开关，且电路效率高，适用于大功率场合。这里分析了电路的工作原理，给出了参数设计过程。试验结果表明，其效率高于传统的ＰＦＣ电路

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