1. MOS管开关电路学习过模拟电路的人都知道三极管是流控流器件，也就是由基极电流控制集电极与发射极之间的电流；而MOS管是压控流器件，也就是由栅极上所加的电压控制漏极与源极之间电流。MOSFET管是FET的一种，可以被制造为增强型或者耗尽型，P沟道或N沟道共四种类型，但实际应用的只有增强型的N沟道MOS管和增强型的P沟道MOS管。实际应用中，NMOS居多。 图1 左边是N沟道的MOS管，右边是P沟道的MOS管寄生二极管的方向如何判断呢？**它的判断规则就是对于N沟道，由S极指向D极；对于P沟道，由D极指向S极。 如何分辨三个极？D极单独位于一边，而G极是第4PIN。剩下的3个脚则是S极。它们的位置是相对固定的，记住这一点很有用。请注意：不论NMOS管还是PMOS管，上述PIN脚的确定方法都是一样的。 MOS管导通特性导通的意思是作为开关，相当于开关闭合。NMOS的特性：Vgs大于某一值管子就会导通，适合用于源极接地时的情况（低端驱动），只要栅极电压达到4V就可以了。PMOS的特性：Vgs小于某一值管子就会导通，适合用于源极接VCC时的情况（高端驱动）。 下

/***********STC12C5A60S2单片机驱动74595 8位LED显示实验************* 程序功能：上位机配套的8位数码管下位机代码 开发环境：Keil4 硬件环境：CEPARK多功能开发学习板/实验箱（2017版），STC12C5A60S2，11.0592M晶振 接线说明：单片机P20~P22口接底板JP26，具体接线为：P20-STCP，P21-SHCP，P22-DS 跳线说明：无 实验现象： 打开上位机软件，打开相应串口，注意串口号要选对，注意晶振为11.0592M 点击打开8位数码管界面, 点亮上位机上对应段，底板上8位数码管对应的段也被点亮。 上位机相关：//uart0采用独立波特率发生器,独立波特率发生器时钟为1T////SMOD=0,串口波特率=BRT独立波特率发生器的溢出率/32//SMOD=1,串口波特率=BRT独立波特率发生器的溢出率/16//BRTx12=0,BRT独立波特率发生器的溢出率=Fosc/12/(256-BRT)//BRTx12=1,BRT独立波特率发生器的溢出率=Fosc/(256-BRT)//uart0波特\u7387=

/******************LPC2103 spi口驱动74595 8位数码管显示实验*****************////系统设置: Fosc、Fcclk、Fcco、Fpclk//#define Fosc 12000000//#define Fcclk (Fosc * 5)//#define Fcco (Fcclk *4)//#define Fpclk (Fcclk / 4) * 4//Fpclk=60000000 接线说明： 使用 3根 1P杜邦线连接核心板 P04/P06/P07口接底板 JP26具体接线为：P04-SHCP，P06-DS , P07-STCP。 跳线说明：短接 J70 实验现象：数码管先逐段扫描，然后显示0-9 技术网站:http://www.eeskill.com 淘宝店铺:http://cepark.taobao.com 作者：eeskill 时间:2017.07.01*************************************************************/ #define IN_MAIN#

基于UC3844的多路输出双管正激电源设计pdf,

在水杨酸的存在下合成了对齐的聚苯胺纳米棒。 在樟脑磺酸（CSA）和对甲苯磺酸（pTSA）的存在下也形成了纳米棒和纳米管。 电导率测量表明，对准的纳米棒比未对准的纳米结构具有更好的导电性。 在某些情况下，还可以观察到纳米球。 细长的纳米结构或球的形成取决于苯胺单体与表面活性剂的摩尔比。 使用软模板形成纳米结构的这种方法通常称为无模板方法。 我们的成功促使我们探索无需使用模板即可获得相似的金属纳米结构的可行性。 我们成功地合成了铜和氢氧化铜纳米线。 当铜纳米线形成为网眼时，氢氧化铜纳米线形成为绕组束。 在改变反应物的添加顺序时，形成了氢氧化铜纳米带而不是束。 这些纳米结构的表征使用扫描电子显微镜（SEM），原子力显微镜（AFM），透射电子显微镜（TEM），傅立叶变换红外光谱（FTIR）和四点探针进行，以测量电导率。 通过无模板方法制造的金属纳米线和有机纳米线都是用作聚合物纳米复合材料中填料的潜在候选材料。 人们发现聚合物纳米复合材料可用于许多先进的现代应用中，例如继续小型化的电子设备中的热界面材料，轻量化和坚固性很重要的航空航天工程，传感器，医学和催化活性。

我们进行了腐蚀案例研究和腐蚀测试，以评估自来水和热水设施中304不锈钢管的耐腐蚀性。 在不同的测试水中残留氯浓度条件下，对用于腐蚀测试的循环测试设备以及两种类型的样品（板和直管样品）进行了检查。 案例分析结果表明，内径<50 mm的直管发生了高度的点蚀。 腐蚀测试结果表明，与直管试样中的余氯浓度无关，304型不锈钢点蚀周围的余氯浓度大于0.3 mg / L。 这些结果表明，直管由于在生产过程中弯曲而具有较高的腐蚀敏感性。

使用从循环流化床（CFB）系统的76 mm内径和10 m高立管收集的嵌入式固体浓度时间序列，对高通量气固立管的入口和壁动力学进行了分析。 提升管以4.0至10.0 m / s的空气速度和50至550 kg / m2s的废液催化裂化（FCC）催化剂颗粒的固体通量运行，平均粒径为67μm，密度为1500 kg / m3。 使用准备好的FORTRAN 2008代码对数据进行分析，以获得相关积分，然后确定有关超球形半径及其轮廓的相关尺寸，并对其图进行研究。 发现中心处的相关尺寸轮廓具有比壁区域轮廓更高的值的单个峰。 朝向壁，这些轮廓具有双峰或多个峰，显示了双分形或多分形流动行为。 随着速度增加，壁区域轮廓变得随机且不规则。 进一步发现，随着高度的增加，相关尺寸分布在中心处朝向较高的超球面半径移动，并且在r / R = 0.81时在壁区域中朝向较低的超球面半径移动。 与其他分析方法相比，本研究中已建立的映射相关尺寸轮廓的方法形成了一种用于分析高通量立管动力学的合适工具。 但是，建议使用已建立的方法对在高通量条件下运行的其他不同尺寸的气固CFB立管进行进一步分析。

为提高半导体激光器光功率输出稳定性,并保证激光器安全、可靠工作,设计了半导体激光器的驱动电源。驱动电源主电路采用同步DC/DC方式,输出效率高;驱动电路可以产生200 kHz触发脉冲,降低了输出电流的纹波,保证激光器输出功率稳定;驱动电路带有过压比较器及过流比较器,保证激光器安全工作。经过仿真和实验表明:该驱动电源在20 A工作时效率达到85%以上,纹波小于5%。

针对某电厂#2炉中温过热器爆管事故,进行了常温拉伸、冲击试验、宏观形貌、金相组织分析及管内堵塞物合金元素成分分析。结果表明:中温过热器Ⅰ受热面管常温力学性能合格,金相组织发生了不同程度老化,短时过热导致爆管;堵塞物的元素成分与12Cr1Mo V一致,应为机械打磨及火焰切割中温过热器Ⅰ受热面管时产生的混合残留物。

某发电公司分隔屏过热器因过热发生爆管,但爆管形貌较为特殊,且爆管前曾发生过凝汽器泄漏,泄漏期间Na+及Cl-均超标,为失效分析带来很大困扰,通过系统实验分析,最终确定爆管原因。本文系统地分析了此次爆管的原因。